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[求助] 关于DNW的一个问题

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发表于 2022-12-2 09:36:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问DNW是做在外延层上的还是直接做在P型衬底上的?
发表于 2022-12-2 10:04:22 | 显示全部楼层
个人理解时做在p衬底上  我认为所有东西都是坐在p沉底上的
发表于 2022-12-2 11:38:05 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2022-12-2 13:45:11 | 显示全部楼层
DNW是深阱层,层次结构位于NW下面,P衬底上。工艺上是一种轻参杂N+注入,主要是用于隔离。
发表于 2022-12-2 14:10:00 | 显示全部楼层
外延层fab里叫EPI wafer,实际上是在raw wafer上就长好了的,就是说下线的wafer 就已经包含EPI 层了,(通常是2u的厚度,有些有特殊要求的更厚一点,3u,4u等)
所以后续的所有process,包含Implant,都是在这层以后做的。
发表于 2022-12-2 15:07:00 | 显示全部楼层
一般也不会用外延片吧,那玩意儿也挺贵的,一般的模拟电路工艺也不需要这个
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