关于4端S参数的仿真问题

CR400BF-BZ

现在我要仿真4端S参数，下面以仿真SDD11为例进行说明。根据我对S参数的理解，我尝试了三种仿真方法。第一种方法为原始定义法（红色），借助公式SDD11 = 0.5*(S11+S22-S12-S21)，可以推算出SDD11的曲线，理论上这种方法一定是正确的；第二种方法是借助巴伦实现单转差（黄色），则由此仿真出的S11即为SDD11；第三种方法是直接将一个port接在网络的两端（绿色），这种想法来源于SDD11为差分回波损耗的理解，故外接一个差分输入信号，得到的回波损耗理论上就应为差分回波损耗，这样仿真S11即可。下面两张图分别为三种仿真方法的testbench和仿真结果。需要注意的是，第一种两个port的内阻设为了50ohm，而第二种port的内阻设的是100ohm。可以看到第一种仿真与第三种仿真的吻合性较好，而第二种在低频处则有所偏离。但这种结论并不唯一，我在仿真其他电路的SDD11时，这三种方法仿真出的结果偏离程度不唯一。
并不是单纯为了解决问题，而是希望借此机会加深对4端S参数的理解，希望大佬指点！

CR400BF-BZ

问题已解决，三种方法的仿真是等效的。关键是要保证各个状态的直流工作点完全一样。个人觉得仿真差分S参数时，用第三种方法是十分方便的，只是在仿真时要注意DC点的正确偏置。

南城花已开

谢谢分享。。。