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查看: 1484|回复: 3

[求助] 有关隔离型NMOS的摆放问题(latch-up)

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发表于 2022-10-26 09:09:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有关输出口的MOS摆放,我有想请教各位大大
我在输出口使用了以N阱作为隔离的NMOS,为了节省空间,想在画版图的时候把隔离用的N阱和同为输出的PMOS的N阱合并在一起(请参考下图)
请问这种画法会有导致latch-up的风险吗,或者有没有什么需要注意的细节?
拜谢!

OUT.PNG

发表于 2022-10-26 14:14:28 | 显示全部楼层
有latch-up风险,不建议把Pmos和Nmos放在一起,如果一定要放,可以在隔离用的N阱和输出的PMOS的N阱之间加个P阱,然后再把Pring和Nring加宽,这样会降低发生latch-up风险,但距离太近,还是有风险
 楼主| 发表于 2022-10-26 16:17:13 | 显示全部楼层


IC的行路人 发表于 2022-10-26 14:14
有latch-up风险,不建议把Pmos和Nmos放在一起,如果一定要放,可以在隔离用的N阱和输出的PMOS的N阱之间加个 ...


明白了,那我还是分开放吧,非常感谢!
发表于 2022-11-4 09:29:12 | 显示全部楼层
关于latch up 可以关注微信公众号 番茄ESD小栈 算是国内较为专业的ESD和latch up 公众号。
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