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发表于 2022-10-26 13:52:28
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以下是一些考虑因素, 可以参考一下:
从电路性能看:
在total width一定的情况下,MOS管的finger number越多,栅极电阻越小;但当finger width太小时,栅极总电容会增大;在RF电路中,存在最优化的finger number;可以参考如下文献
F. Haddad, A. B. Hammadi, and S. Saad, ‘Effect of Multi-Finger Gate MOSFET on RF Analog Integrated Circuit’, in 2020 15th Design Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS), Apr. 2020, pp. 1–2. doi: 10.1109/DTIS48698.2020.9081132.
从版图方面看:
1. 版图的最小高度/宽度可能取决与finger width最大的MOS,在版图形状有某些限制要求时,需要考虑finger width不能太大;
2. 在小尺寸工艺下,为了减小LOD或WPE等LDE效应,MOS管通常需要在S/D两边加一些dummy MOS;如果finger width太大,那么相应的dummy MOS占的面积也会较多。 |
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