在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2630|回复: 11

[求助] TSMC N12 FINFET 工艺和MOSFET layout上有哪些不同,有哪些要注意的地方。求解,谢谢!

[复制链接]
发表于 2022-10-12 22:19:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
TSMC N12 FINFET 工艺和MOSFET layout上有哪些不同,有哪些要注意的地方。求解,谢谢!
发表于 2022-10-13 13:43:40 | 显示全部楼层
同问
发表于 2022-10-19 16:45:55 | 显示全部楼层
个人认为最大的不同就在于第一OD需要跟fin对齐,第二M1到PO跟OD之间多了一层M0。
发表于 2022-10-20 13:22:10 | 显示全部楼层


litong717 发表于 2022-10-19 16:45
个人认为最大的不同就在于第一OD需要跟fin对齐,第二M1到PO跟OD之间多了一层M0。 ...


M0什么作用和结构,有图吗
发表于 2022-10-20 14:02:08 | 显示全部楼层


jessefrank 发表于 2022-10-20 13:22
M0什么作用和结构,有图吗


同问

发表于 2022-10-21 15:50:11 | 显示全部楼层
finfet一致
发表于 2022-11-1 11:12:12 | 显示全部楼层


jessefrank 发表于 2022-10-20 13:22
M0什么作用和结构,有图吗


由于gate和od都向上凸起了(凸这个字很形象了),侧边看上去起起伏伏,直接打孔接触不良好,故直接在gate和od上覆盖一层metal 0,metal 0直接与二者欧姆接触,下表面与二者叠加,上表面是平坦的(把凸变成了口),之后metal 0方可以通过via 0与metal 1稳定连接。

个人理解仅供参考。
发表于 2022-11-1 11:13:00 | 显示全部楼层
发表于 2022-11-1 11:21:21 | 显示全部楼层
补充一点,OD或者说fin要放在fin grid上面,不能像28那样想放在哪就放在哪吧
发表于 2022-11-2 10:53:31 | 显示全部楼层
design rule里面有好几个FB,就是用来对齐Fin,保证Fin on grid的,注意点
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-21 02:08 , Processed in 0.020589 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表