SDM后仿真优化瓶颈

jcxwzy

咨询一下，在模块的后仿真中，应该如何去优化debug？

后抽取参数C+CC可以定位到基本的模块或者某一块走线，但是从版图角度似乎看不出什么问题；

如果从抽取的寄生参数文件中能看到明确的C+CC参数，但这些参数的差异基本都在fF量级，如果对系统有很大影响，也不知道该如何入手调整；

想请教下后仿真应该如何进行优化，目前前后仿差异有1bit有效位数；

cuizih

同样的问题，顶一下

leehying

一般先定位 哪几根线的寄生 是大头，有经验的话 总是会有重点怀疑的走线，找到这几根走线的寄生电容，手工改小后仿真对比；
若还是不能定位，一个笨办法是大片 大片 地删掉寄生电容，逐步缩小范围，定位到大头的几个寄生。

leehying

定位到后， 5fF以下的也有显著影响的话，建议电路要优化了，功耗 电流 母电容等加强下。

10fF以上的 版图有机会优化掉的。

另外，寄生的电容的匹配性 也要重视。

jcxwzy

   

leehying 发表于 2022-10-12 09:46
定位到后， 5fF以下的也有显著影响的话，建议电路要优化了，功耗 电流 母电容等加强下。

10fF以上的 版图 ...

你好，咨询下10fF以上的版图要怎样优化的？加大他们之间的距离？

leehying

   

jcxwzy 发表于 2022-10-12 13:44
你好，咨询下10fF以上的版图要怎样优化的？加大他们之间的距离？

没错，上下左右 都没有走线最好了；以及自己走线 短 且 细。

jcxwzy

   

leehying 发表于 2022-10-12 17:01
没错，上下左右 都没有走线最好了；以及自己走线 短 且 细。

好的。明白了，多谢；