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[求助] 电压转电流的问题

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发表于 2022-9-22 21:45:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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当VIN从0开始输入的时候,NMOS会有一个从关断到导通的状态,这个时候NMOS转换的漏极电流会呈现一个很大的非线性,但是又需要漏电流有一个到0A的输出,求助一下各位有什么方法可以在保证VI转换的线性度的同时又能够有0A的输出电流?

当VIN从0开始输入的时候,NMOS会有一个从关断到导通的状态,这个时候NMOS转换的漏极电流会呈现一个很大的非 ...

当VIN从0开始输入的时候,NMOS会有一个从关断到导通的状态,这个时候NMOS转换的漏极电流会呈现一个很大的非 ...
发表于 2022-9-23 01:12:41 | 显示全部楼层
楼主楼主描述的问题不够详细,难以提供准确的指导方案①楼主是什么样的电路。②楼主需要怎么样的非线性指标。③是需要抑制HD谐波还是要抑制大信号下的失真。④应用背景是什么。处理非线的方式有很多种,我这里提供几种方案仅供参考,楼主可以考虑采用负反馈结构提高非线性度等技术,也可以在电路上计算出谐波失真为0的条件通过gmid的方法迭代计算出最优晶体管尺寸,也可以提高电路系统的带宽 总之处理方式多种多样,具体问题具体分析。
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 楼主| 发表于 2022-9-23 10:07:39 | 显示全部楼层


GeorgeTse 发表于 2022-9-23 01:12
楼主楼主描述的问题不够详细,难以提供准确的指导方案①楼主是什么样的电路。②楼主需要怎么样的非线性指标 ...


你好,这里只要是由于VIN从0开始上升时,VGP电压也会从低到高的上升,但是由于我需要VIN=0的时候,NMOS的漏电流为0,因此VGP会小于NMOS的开启电压,当VGP上升时候会NMOS会有一个从截至->亚阈值->线性->饱和的过程,这个中间就会出现一个非线性,想请问一下有什么方法可以补偿这样的非线性,当然如果设计VIN=0时,VGP的电压已经使得NMOS处于饱和区就可以略过这段非线性区,但是NMOS的漏电流就不能到0A。
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发表于 5 天前 | 显示全部楼层
预加一个小电流
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