常用高压mos管SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65参数

骊微电子电源ic

MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。

4n65高压mos管参数

型号：SVF4N65F/M/MJ/D

电性参数：4A 650V

反向恢复时间(Trr)：450ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=2.3Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L

7N65场效应管参数

型号：SVF7N65T/F/S

电性参数：7A 650V

恢复时间(Trr)：499ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=1.1Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L

场效应管10N65高压mos管参数

型号：SVF10N65T/F/K/S

电性参数：10A 650V

恢复时间(Trr)：561ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=0.8Ω@VGS=10V

封装：T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L

高压mos管12n65参数

型号：SVF12N65F/K/S

电性参数：12A 650V

恢复时间(Trr)：562ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=0.64Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L

4N65/7N65/10N65/12N65/18N65等高压MOS管系列，大幅减少了应用中的导通损耗的，同时助力高功率密度的电源设计，拥有多种封装形式，能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求，更多低压、高压及超结MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>