工作在饱和区的MOS管用作电流源时，栅源电压恒定，漏源电压为啥变小啊？？

修士风清扬 · 发表于 2022-9-6 21:56:39

工作在饱和区的MOS管用作电流源时，栅源电压恒定，漏源电压为啥变小啊？？
屏幕截图 2022-09-06 215203.jpg

莫莘辛宇 · 发表于 2022-9-6 21:56:40

没有你这么用的，偏置电流都是靠镜像了Bias电流源的电流给电路提供dc点的。另外MOS管的漏源电压不算强源电压点，Vds超出的电压（Vds-Vdsat）认为是可变的，要受电路其它部分的控制，你电流的增大，上部分的电路需要更大的压降，不可避免下管的Vds就被压低了。

一直走吧 · 发表于 2022-9-6 22:43:59

因为上面的管子也需要更大的Vgs来流过增长的id

gongzhe1231 · 发表于 2022-9-7 09:25:28

这不是基本知识点之一的沟长调制吗

xuwenwei · 发表于 2022-9-7 09:29:21

电流和vds也是有关系的

btbtbt · 发表于 2022-9-7 10:02:16

你估计哪里搞错了。

修士风清扬 · 发表于 2022-9-7 13:46:50

本帖最后由修士风清扬于 2022-9-7 13:54 编辑

一直走吧发表于 2022-9-6 22:43
因为上面的管子也需要更大的Vgs来流过增长的id

您的说法我是赞同的，不过我有一个疑问，我在扫描尾电流源的宽度时（从30u扫描到80u，扫描的同时仿真了电路图中每个管子的region都是饱和区2）发现上面两个管子的栅压变化的很小（633-636mV），源极电压变化很大，这是为啥？？更大的Vgs为啥这里不能通过增大Vg？？

修士风清扬 · 发表于 2022-9-7 13:52:05

gongzhe1231 发表于 2022-9-7 09:25
这不是基本知识点之一的沟长调制吗

我刚开始也按照沟长调制思考的，电流变大，漏源电压变大，但是不对，因为沟道长度调制说的是工作在饱和区的MOS，漏源电压（自变量）变化的时候，电流如何变。
这里问的是宽长比的变化作为自变量，漏源电压和电流（因变量）怎么变。

修士风清扬 · 发表于 2022-9-7 13:52:59

btbtbt 发表于 2022-9-7 10:02
你估计哪里搞错了。

应该是没错的，，，

修士风清扬 · 发表于 2022-9-7 16:34:57

莫莘辛宇发表于 2022-9-7 16:06
没有你这么用的，偏置电流都是靠镜像了Bias电流源的电流给电路提供dc点的。另外MOS管的漏源电压不算强源电 ...

感谢大佬指教！！！

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