Samsung 以 GAAFET（全环栅电晶体）产 3nm 制程晶片

peterlin2010

Samsung 今日正式宣布，其位於南韩华城的工厂已经成功开始以 GAAFET（全环栅电晶体）架构量产 3nm 制程晶片。在新的 GAAFET 方案中 Samsung 首度运用了 MBCFET（多桥通道电晶体）技术，它「突破了过去 FinFET 的效能限制」，可以透过降低电压水平的方式提高电源效率，同时还能靠增加驱动电流能力来提升效能。

根据 Samsung 给出的数据，和现有的 5nm 制程相比，第一代的 3nm 制程可以在减少 16% 面积的前提下，降低 45% 功耗且提高 23% 效能。而未来的第二代 3nm 制程更能在减少 35% 面积的情况下，实现 50% 的功耗降幅和 30% 的效能跃升。

「基於在高介电常数金属栅极、FinFET、EUV 等次世代制造技术上持续展现出的领导力，Samsung 实现了快速成长。」Samsung 电子总裁、代工业务主管崔世英博士如此说道，「我们希望透过全球首个 MBCFET 3nm 制程来继续保持领先地位，未来还将在有竞争力的技术开发领域继续创新，并建立有助於加快实现技术成熟的工艺。」