NV-SRAM在数据记录应用中优于现有存储器

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NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一种独立的非易失性存储器，业界最快的 NV-SRAM，具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRAM 数据的副本并将其保存到非易失性存储器中，并允许在不消耗电力的情况下调用数据。非常适合需要快速写入速度、高耐用性和即时非易失性的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)、智能仪表和网络路由器等数据记录应用。

NV-SRAM的主要特征
快速访问-以20ns的速度执行随机访问读写
无限耐力-提供无限的写入和读取
节省空间-与BBSRAM相比占用更小的电路板空间
耐辐射-不受辐射引起的软错误的影响

NV-SRAM产品与EEPROM和BBSRAM（电池支持SRAM或BatRAM）解决方案相比，其消耗的有效电流更少。与电池支持的解决方案不同，NV-SRAM存储器不需要外部电池来保持电量。因此NV-SRAM适用于智能电表等数据记录应用。无限耐用性和即时非易失性确保NV-SRAM在多个数据记录应用中优于现有存储器（如EEPROM和BBSRAM）。

特征	非静态SRAM	BBSRAM	EEPROM
密度	中等偏上	中等偏上	低 中
耐力	无穷	有限	低
保留	高的	低	中等
附加电池	NO	YES	NO
写时间	快速	中等	减缓