core内部产生高压，没有适合的IO使高压输出问题

344906150 · 发表于 2022-6-10 10:33:04

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电路内部通过电荷泵产生了一个接近6V的电压，需要流片测试这个6V电压的精度，但是smic55nm cmos 逻辑工艺只提供了1.8V，3.3v的IO供电电压，想请教各位有经验的伙伴如何将这个6V的高压输出呢？感谢

一西 · 发表于 2022-6-10 10:51:04

3.3+3.3 ESD？
或者不要直接测试这个6V，而是内部通过分压电阻或者buffer降到3V以内，间接测试？

仅供探讨！

344906150 · 发表于 2022-6-10 11:02:00

感谢回复，我能调用的ESD是都是库里面本身自带的，想请教一下两个3.3V的ESD应该怎么连接才能耐住6V的电压，还有就是io的供电问题。

344906150 · 发表于 2022-6-12 14:32:09

顶一下

nanke · 发表于 2022-6-12 15:55:44

没有经验。不对下面的话负责：用电源用的esd电路，只作测试用应该没问题的。耐压只是在一定时间一定电流情况下的参数，只用来测试是可以超出一点的。如果还是担心那就分压输出吧。

344906150 · 发表于 2022-6-13 09:21:09

nanke 发表于 2022-6-12 15:55
没有经验。不对下面的话负责：用电源用的esd电路，只作测试用应该没问题的。耐压只是在一定时间一定电流情 ...

您好，感谢回复。如果使用电源用的ESD电路，给ESD提供3.3V的供电，理论上6V的电压应该是无法输出的，是不是也应该给ESD提供6V以上的电压，需要的电压才能输出测试呢？自己的想法单纯探讨。

[求助] core内部产生高压，没有适合的IO使高压输出问题