先进工艺低电压设计运放，如何设置管子的直流工作点？

April1999 · 发表于 2022-6-5 21:41:46

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用28nm工艺进行运放设计时，发现管子的直流工作点特别难以确定，特别是输入管，很难工作在饱和区，以及输入共模电压的确定。如果取电源电压一半450mV，那么在沟道长度选择较小时根本无法达到饱和区。而且沟道长度最多也只能设计成1um.

大话天神 · 发表于 2022-6-6 08:42:24

本帖最后由大话天神于 2022-6-6 08:45 编辑

输入对管的共模电平设置太低了，对管进入了亚阈值区。小电流定义大电流，下面的电流镜当然也有问题了。降低偏置电流跟增大输入共模电平。只用过0.18u和0.35u工艺，不知28n是否适用。

关寸舟 · 发表于 2022-6-6 09:53:10

这个结构有论文吗，想看下

spartan313 · 发表于 2022-6-6 10:42:40

M0/M1 source voltage 是不是太低了。。，你的current mirror 之间的vds 差太多了先不说其他的，Iref mismatch应该会很不好。

mars0904 · 发表于 2022-6-6 11:28:46

用lvt的管子是不是会好一点

April1999 · 发表于 2022-6-6 18:10:31

大话天神发表于 2022-6-6 08:42
输入对管的共模电平设置太低了，对管进入了亚阈值区。小电流定义大电流，下面的电流镜当然也有问题了。降低 ...

我想请教一下偏置电流的问题，因为我想在放大级用较大的电流（想做宽带的），所以如果偏置电流较小的话，那么放大级的晶体管multiplier数会特别大，所以我偏置电流取得比较大。还有关于输入共模电压的问题，比如28nm，电源电压为0.9V，那么输入电压是不能超过0.9V的，在0.9V之下该如何选择一个合适的输入共模呢？根据教科书上的说法，是算三个管子的Vdast，但是在设计管子的时候如何让管子有一个固定的Vgs-Vth呢？设计参数一直在调整，弄得步骤特别乱，想请教一下设计运放的时候一般都是按照什么步骤来设计。

April1999 · 发表于 2022-6-6 18:12:24

mars0904 发表于 2022-6-6 11:28
用lvt的管子是不是会好一点

我就是用的lvt管子，但是仿真给出的vth还是很大。

大话天神 · 发表于 2022-6-7 10:29:43

April1999 发表于 2022-6-6 18:10
我想请教一下偏置电流的问题，因为我想在放大级用较大的电流（想做宽带的），所以如果偏置电流较小的话， ...

没有二极管结构，0.9V勉强可以，这里的勉强是说偏置电流不大的情况。所有管子的vds在0.2V左右，M0/M1的vg约等于0.2V+Vth。这样的话你的共模电平就必须要高，低了不行。你这对管在亚阈值区论文里面倒是经常这么搞

linda313417 · 发表于 2024-4-11 11:56:35

顶一下，想问一下，PMOS和NMOS的L可以不相同吗

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