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在最后一个附件中EE214方法中,指出关于gm/ID设计表格中,有gm/ID和本征增益gmro这个表格。(好像一般听到的就关于fT, gmro, ID/W, Cgd/Cgg, Cdd/Cgg这几个表格)但在附件1-3中,用的是关于gm/ID和沟长系数lamda这个表格,进而利用ro=1/(ID*lamda)这个方法计算阻抗。
我的疑问是,构造gm/ID和沟长系数lamda这个表格的合理性在哪里?为什么不直接构造gm/ID和gds之间的表格,直接用1/gds计算ro不是更方便吗?
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Report for Fully Differential Folded Cascode OpAm.pdf
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附件1
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Report for current mirror OPAMP.pdf
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附件2
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A Low Power Two Stages CMOS OpAmp.pdf
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附件3
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ee214b_gmid.pdf
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EE214
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