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[原创] 22nm工艺,是不是MOM电容漏电比较大?

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发表于 2022-5-23 11:03:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
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本帖最后由 istart_2002 于 2022-5-25 17:56 编辑

22nm工艺,是不是MOM电容漏电比较大?

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显然不会,MOM就是金属和金属间电容,中间是绝缘材料,而且间隔至少几十nm。按你这么讲,漏电大的话线都没法走得很密了,工艺算是废了。当然如果你做超低速超高精度的,就要考虑漏电了。 漏电大的是mos gate。因mos gate栅氧厚度是A级别的,厚度小很多。而且又想绝缘又想介电常数小,满足的材料少。 ...
发表于 2022-5-23 11:03:49 | 显示全部楼层


   
istart_2002 发表于 2022-5-24 09:59
22nm工艺,确实MOM电容漏电比较大么?


显然不会,MOM就是金属和金属间电容,中间是绝缘材料,而且间隔至少几十nm。按你这么讲,漏电大的话线都没法走得很密了,工艺算是废了。当然如果你做超低速超高精度的,就要考虑漏电了。

漏电大的是mos gate。因mos gate栅氧厚度是A级别的,厚度小很多。而且又想绝缘又想介电常数小,满足的材料少。


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发表于 2022-5-23 15:16:29 | 显示全部楼层
做漏电流补偿?
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 楼主| 发表于 2022-5-24 09:59:46 | 显示全部楼层


   
loopgain 发表于 2022-5-23 15:16
做漏电流补偿?


22nm工艺,确实MOM电容漏电比较大么?
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发表于 2022-6-19 14:14:13 | 显示全部楼层
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