标准工艺下实现高压输出的电路问题

344906150 · 发表于 2022-5-9 20:32:34

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普通的逻辑工艺smic 55nm，需要用电荷泵产生一个6v高压，但是工艺库只有一种高压管子叫ldmos(在漏极多了一个漂移区，所以VDS能耐住5V电压，但是VGS只能耐压3.3V）所以我怕高压位置管子会被击穿，比如一些level-shifter 或者开关位置的高压管。现在仿真瞬态看到好几个管子VGS是超过3.3V的，在现有工艺库的情况下。这种问题应该怎么解决呢？希望得到各位的指点，感激！

344906150 · 发表于 2022-5-9 20:32:59

顶起来

344906150 · 发表于 2022-5-10 09:24:57

希望有经验的大佬给予指点

344906150 · 发表于 2022-5-11 11:08:03

顶起来

MicroEpzc · 发表于 2022-8-2 15:43:35

请问楼主现在解决了吗？

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