加大柏克萊分校發現新電晶體設計 以幫助晶片降低運算功耗

andy2000a

加大柏克萊分校發現新電晶體設計，以幫助晶片降低運算功耗
根據晶圓代工龍頭台積電特聘教授，也是加州大學柏克萊分校電氣工程和電腦科學教授，並為該項由就論文作者的 Sayeef Salahuddin 指出，當前要透過價值數以兆計美元的半導體產業才能做到的進步，基本上我們的研究已經可以進行突破。據了解，這樣的能耗狀況的提升，是透過一種叫做負電容效應所達成的，它有助於減少在材料中儲存電荷所需的電壓。過去，Sayeef Salahuddin 在 2008 年的理論研究上就預測了負電容的存在，而且還在 2011 年的一次鐵電晶體中展示了這種效應

負電容 ?


Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification
[url]https://www.eurekalert.org/news-releases/949191


[/url]

jamesccp

电容中和掉了，带宽无限大?

andy2000a

好像不是往微缩那边   只往省电方面  跟 finfet    or  gaa  不同方向 .

新穎架構之高效能負電容場效電晶體設計
Novel Design of High-performance Negative-capacitance Field Effect Transistors

不确定, 可能新类型电晶体吧   

利用设计之负电容场效电晶体(NCFET)闸极，能够消除电压电流特性中的电滞现

象，并达成次临界摆幅约40mV/decade。降低功率损耗可应用于需要次临界摆幅(sub-thresholdslope) 60mV/decade 之半导体元件

KKNEWS   胡正明  

趋势|FinFET之父预测未来：负电容电晶体和堆迭二维电晶体    负电容电晶体（NC-FET）是最新和最重要的概念之一。该电晶体结构来源于胡所在的加州大学伯克利分校的研究成果，并为该研究团队所独有。胡展现了在30nm NC-FET上的工作，该NC-FET由锆铪二氧化物制成，并创新性地使用了5nm铁电层，如图1所示。从本质上讲，该结构是将一个电压放大器放入电介质中，好处是可将Vdd减少至0.3V水平，并得到同样的性能，克服未来数十年中新器件技术发展道路上的限制。

像28nm 下会出现  FINFET

FinFET(Fin Field-Effect Transistor)称为鳍式场效电晶体 电晶体的闸极环绕包裹着电晶体的高架通道，形状与鱼鳍相似，因而命名。FinFET是一种新型的多重闸极3D电晶体，提供更佳功耗和效能优势，远胜过传统平面型电晶体。  FinFET是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)电晶体，闸长已可小于25nm，未来可进一步缩小至9nm，约是人类头发宽度的1万分之1。与28nm制程相比，16/14nm的FinFET制程可以提高40-50%效能，或减少50%功耗。 最早使用FinFET工艺的是INTEL  ，他们在22纳米的第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，随后各大半导体厂商也开始转进到FinFET工艺之中，其中包括了台积电16nm、10nm、三星14nm、10nm以及格罗方德的14nm。不过FinFET工艺的极限是7nm(INTEL) 制程

3NM  下得   闸极全环电晶体（Gate-all-around，GAAFET )  和FinFET有相同的概念，不同之处在于此元件闸极围绕了整个载子通道。

  依设计的不同，GAAFET可以以2个或4个等效闸极。此元件已经借着利用硅奈米线和蚀刻砷化镓铟（InGaAs）奈米线被建造成功