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[讨论] rectifier中的二极管类型选取

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发表于 2022-4-6 15:52:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教一下,在transponder中会用到整流器,里面的二极管有些会用NMOS二极管连接,有些会用肖特基二极管。 请问这两者有什么区别?谢谢。
发表于 2022-4-6 16:57:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 leejohannes 于 2022-4-6 17:21 编辑

看你的基础。。。目前看来是没什么区别。。。拓展开连博士毕业都讲不完
普通二极管频率上M开关性能就不够了,跟电容器基本一样了
肖特基(反向恢复时间)能上近G,但是大多数pdk没有,得上PCB
NMOS PMOS 连成diode理论上ft能达到都能涵盖
具体什么区别,美国在18年有个军事项目专门把各种晶体管二极管方式连接
该论文数据你看了就知道,只说了是军事项目
Bassirian,  “Analysis of Quadratic Dickson Based Envelope Detectors for IoE Sensor Node Applications.”
NMOS 二极管连接的阻值会很大,能上到M欧
所以最后这个项目通过Triodde实现(也得上百K欧)
因为自带了ro和Cds,就等于形成了一个低通滤波器(天然的包络器不需要再加上低通滤波),对高频信号过滤作用好,但是基带信号高也会被滤下去。mose也可以通过调节Vg做成主动包络器,这类的的研究就比较多了
被动的最近几年从美国DARPA提出了N-Zero比较火,虽然有很多中国人名字,国内相关研究还没跟上。。。



发表于 2022-4-6 17:16:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 leejohannes 于 2022-4-6 17:29 编辑

所以主要是带宽,信噪,线性,输入输出阻值等等能不能满足系统设计指标,
对了普通PCB上的肖特基做的太大频率上M也不好用,只有在肖特基做到足够小才有可能上几十G
肖基特耐压也不行
MOS管的特性是subVth电阻接近无穷大,所以MOS二级管连接能做ESD PAD(这拓展开又是个博士课题),肖基特不可能的。。。MOS管的subVth特性也可以用来做成巨大阻值电阻来平衡掉二极管连接带来的极大输入输出阻值
subVth还会带来一个问题就是对温度相对敏感,华中科技大这位建设美国的大神在这篇文章中通过温度补偿解决了*。简单用做rectifier不需要太去考虑这个问题
*A 22.3-nW, 4.55 cm2 Temperature-Robust Wake-Up Receiver Achieving a Sensitivity of −69.5 dBm at 9 GHz


发表于 2022-4-6 17:18:54 | 显示全部楼层
一句话,有的选么?项目是什么?用的是什么pdk?能用的元器件有哪些?上片基本上都是NMOS连成二极管用
发表于 2022-4-6 17:36:20 | 显示全部楼层
对了NMOS连成的负的二极管没正的二极管满量程高。如果你的是差分的,要么把offset向上台,要么负相位用PMOS
估计你做的应该是正相位比较
 楼主| 发表于 2022-4-7 15:17:37 | 显示全部楼层


leejohannes 发表于 2022-4-6 17:16
所以主要是带宽,信噪,线性,输入输出阻值等等能不能满足系统设计指标,
对了普通PCB上的肖特基做的太大频 ...


也就是说,一般片内都用NMOS二极管连接,不用肖特基的原因就是没有PDK是吧?
发表于 2022-4-7 20:03:58 | 显示全部楼层


海阔天空——飞 发表于 2022-4-7 15:17
也就是说,一般片内都用NMOS二极管连接,不用肖特基的原因就是没有PDK是吧?
...


你要这么理解。。。也行。。。
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