在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3578|回复: 6

[求助] 求助帮忙分析一下这个自偏置电流镜

[复制链接]
发表于 2022-2-10 16:50:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
image.png 这个电流镜的工作过程是怎样的,有什么优点呢,这个电阻在这里的意义是什么?
企业微信截图_20220210164707.png
发表于 2022-2-10 19:17:56 | 显示全部楼层
随便找一本模拟教科书,电流镜一章自有解答。
发表于 2022-2-10 21:24:07 | 显示全部楼层
同意楼上,几乎每本模拟书上都有讲这个结构
发表于 2022-2-11 09:12:29 | 显示全部楼层
大学的模拟电路教材也有讲吧。
发表于 2022-2-11 10:01:49 | 显示全部楼层
本帖最后由 xszhu 于 2022-2-11 10:06 编辑

楼主这个电流镜很典型,一般书上都有很详细的解答,不过,估计你也有难处,我就说说自己的见解,希望能帮到你。
首先,说说开发来由,电流镜最好能100%复制偏置电流,而且电流镜的输出阻抗越大越好,这就是开发cascode电流镜的最大原因。
但是简单的串联的二极管偏置电路,造成输出的电流的输出动态电压范围变小,所以就开发,另外添加偏置,和自偏置,两种偏置按照应用自行选择。
再说说,工作原理,VGS=Vt + Von , VDS ≥ Von 管子工作饱和区,只要VDS设置得当,显然,就会有VGS ≥VDS情况,且工作在饱和区。这种结构就有存在可能。
知道Ibias,接着设置Von ,一般做设计时Von=5%VDD,Von知道接着设计,Q1、Q2的W/L,一般四个管子W/L都是一样的。Q1,临界饱和时,VDS1=VON,这就要用R来设计Vt+2Von,R=Von/Ibias,设计好后Q1的VDS1理论上必定VDS1=VON,而且Q2的VDS2也必定VDS2=VON,只从体效应,还有沟道调制效应来说已经100%复制,因为Q2对Q1的100%复制,且串联电流相等,我们就可以不看Q4的VDS4是否与VDS5相等,所以输出动态电压2Von~,变大了。这里有个风险因为Q1/Q2工作在临界饱和状态,我们不想看到的,所以会牺牲一点动态范围,来确保Q1/Q2工作在饱和区,所以会把R设置大一点,到底该多大自己把握下,120%,125%等等。
优点:自偏置,减少偏置电路,输出阻抗大,比一般的输出动态范围大,精度高
缺点:动态范围还是小。

 楼主| 发表于 2022-2-11 14:10:50 | 显示全部楼层


xszhu 发表于 2022-2-11 10:01
楼主这个电流镜很典型,一般书上都有很详细的解答,不过,估计你也有难处,我就说说自己的见解,希望能帮到 ...


感谢你的热心和耐心~
上午我看到回复后就自己推导了一遍,终于搞明白了。其实是很基础的内容,但是对我来说从原理到设计之间还有一道鸿沟,谢谢答主从设计的角度从头到尾的讲解~


发表于 2024-5-14 14:24:09 | 显示全部楼层


xszhu 发表于 2022-2-11 10:01
楼主这个电流镜很典型,一般书上都有很详细的解答,不过,估计你也有难处,我就说说自己的见解,希望能帮到 ...


受教了

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-21 00:12 , Processed in 0.021739 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表