请教smic工艺中的二端口电阻和三端口电阻区别

晬婴

小弟在学习一个smic的工艺库，里面电阻有两端口和三端口的电阻。但是我发现二者的schemtic一样，layout也只是相差了一个LVS层。以工艺库中的silicide n+ poly（rnpo）和silicide n+ poly (three terminal)（rnpo_3t）为例，二者的schemetic一模一样：

二者的layout也仅相差了一个名叫resp3t的lvs层（下图左面是rnpo，右面是rnpo_3t），三端口的版图也只留了两个接线端：

因此两端口和三端口电阻的区别体现在了哪里？（特别是三端口电阻多的一个端口体现在了哪？）

谢谢大家！

yguvyg

我的理解是版图上两端电阻可以不用围ring ,三端电阻就必须围guardring了，guarding作为第三端，不过话说你电路上的symbol真的截图截的没错？

旺仔zzh

一个在sub上，一个不在

晬婴

yguvyg 发表于 2022-2-7 09:01
我的理解是版图上两端电阻可以不用围ring ,三端电阻就必须围guardring了，guarding作为第三端，不过话说你 ...

已经解决了，我这个三端口poly电阻版图默认关闭了第三个端口的版图层，所以就看起来和两端口的一样，Q进去在参数设置里面就可以把第三个端口调出来

tylxy0033

yguvyg 发表于 2022-2-7 09:01
我的理解是版图上两端电阻可以不用围ring ,三端电阻就必须围guardring了，guarding作为第三端，不过话说你 ...

抬个杠，三端也不需要围ring只要在p/nwell里面就好

maige0106

tylxy0033 发表于 2022-2-8 16:29
抬个杠，三端也不需要围ring只要在p/nwell里面就好

请问三端围了ring，那么电阻是做在了pwell里还是psub上？

tylxy0033

maige0106 发表于 2022-2-8 17:12
请问三端围了ring，那么电阻是做在了pwell里还是psub上？

都说了是抬杠，干嘛这么一本正经的。是在well上还是在psub上主要看你的ring向下接的哪儿。
我最近做的是BCD工艺自然是接到well上，而其他工艺，没那么厚也是可能接到psub上的。

qwt123

这个问题遇到过。我一般，这么干。两端电阻，如果有psd层，我就放在电源电位的NWELL 里；如果有NSD层，我就放在接地电位的ring里。三段电位，它就固定了电阻放在了哪个电位ring里。貌似两端电阻可以不放ring里，但是我习惯放ring里。望懂的前辈，给出详细的指导