GF工艺中要求MIM电容下级板先通过顶层金属再接到器件

zr919491579 · 发表于 2021-12-20 10:24:43

GF工艺中要求MIM电容下级板先接到顶层金属再接到器件.不允许直接接到下层金属。，但我们模拟工程师说这是为了防止天线效应，关系不大。所以之前每次用每格纳工艺时为了方便我都是直接接到下级板的，后来芯片也没什么问题。
但是这次用GF工艺，工艺手册明确写了，下级板必须先跳到顶层金属再接走。但公司其他工程师又说直接接到下层没什么问题，想问下大家这样接到底问题大不大？

maomao198477 · 发表于 2021-12-20 10:36:20

如果FAB 可以放行，就听工程师的

bing_bing · 发表于 2021-12-20 10:46:02

这个的确是用来防止ant的如果是强制要求只能遵守否则数据到时候有可能被fab打回来

石头遇见雪 · 发表于 2021-12-20 19:00:47

我们流片的时候，是要求把所有能解决掉的全部都要解掉，FAB厂只会检查DRC，ERC ，ANT，LVS 他们是不查的，所以没有解掉的error ，就必须要自己承担风险。比如MIM电容这块，FAB厂这么要求确实是为了解决天线效应，但是我们自己选择WAIVE，就自己承担风险。一般我都会解掉的。

bellona · 发表于 2021-12-21 23:10:10

GF的工艺，只要不是Class A的错误，都可以waive掉，只不过风险自负
天线效应造成的介质损伤有时不会导致MIM电容直接短路，但是会影响其可靠性，短时间测试可能看不出问题

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