温度保护必须使用三极管吗？

flag易 · 发表于 2021-12-14 11:30:01

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求助各位大神：

问题一：

温度保护电路中均用到三极管或二极管，其它器件也可以产生不同的温度系数，三极管相比于别的器件有什么优点和不可替代的地方。
问题二：

已经有耗尽管基准的前提下还用三极管做温度保护会增加HNW层，耗尽管基准本身已经产生正温度系数的电流了，可否直接转成电压与基准比较。

demonhunter · 发表于 2021-12-14 12:37:10

bjt较mos的分散性要好近一个数量级。MOS也可以，就是分散性差点。

flag易 · 发表于 2021-12-14 15:31:21

本帖最后由 flag易于 2021-12-14 15:48 编辑

demonhunter 发表于 2021-12-14 12:37
bjt较mos的分散性要好近一个数量级。MOS也可以，就是分散性差点。

分散性怎么理解？是指随温度的变化率VT变化更大吗？还是指VBE随偏置电流变化量较小？

math123 · 发表于 2021-12-14 19:04:31

本帖最后由 math123 于 2021-12-14 19:16 编辑

过温保护电路一般使用npn或者pnp，三极管的model比mos简单，你打开model文件看看，三极管的model行数比mos少很多，一般工艺三极管的model比二极管精准，因为三极管建模是重点对象。
立锜的RT9010 LDO就是用耗尽管做的bandgap，还是用npn做得过温保护。
耗尽管做bandgap需要model很精准，一般工艺厂做不到，一般要IDM工艺。
ADI的ADP122 LDO就是耗尽管做的bandgap，里面找不到过温保护电路，可能和bandgap一块做的

ericking0 · 发表于 2021-12-16 09:06:39

大部分情况下，
体器件的variation都会比表面器件的小；

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