关于mos的电容问题？

wenkingIC · 发表于 2021-12-9 16:42:41

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突然看到一个以前没有想过的问题，如例题图c可以看到，mos管的漏和体之间的电容会随着漏电压的增大而减小，有人可以从器件的角度解释下原理吗？

叫二哈的哈士奇 · 发表于 2021-12-9 17:39:52

详细具体的分析可以看半导体物理

wenkingIC · 发表于 2021-12-9 18:58:35

叫二哈的哈士奇发表于 2021-12-9 17:39
详细具体的分析可以看半导体物理

好吧

adhylin · 发表于 2021-12-9 19:02:43

饱和区，夹断，图a中的C4没了

wenkingIC · 发表于 2021-12-10 11:39:58

adhylin 发表于 2021-12-9 19:02
饱和区，夹断，图a中的C4没了

只要源漏有电压差，C4一直都有哦

ericking0 · 发表于 2021-12-16 09:30:46

夹断以后，电压一直上升，耗尽层会越来越厚，
可以理解成电容级板间距离d增加了；

wenkingIC · 发表于 2021-12-16 14:56:40

ericking0 发表于 2021-12-16 09:30
夹断以后，电压一直上升，耗尽层会越来越厚，
可以理解成电容级板间距离d增加了； ...

有点道理哈，感谢感谢

ricardoysq · 发表于 2021-12-16 15:19:02

PN结反向电压增大导致耗尽层/空间电荷区变大，结电容降低

wenkingIC · 发表于 2021-12-17 10:53:00

ricardoysq 发表于 2021-12-16 15:19
PN结反向电压增大导致耗尽层/空间电荷区变大，结电容降低

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