bandgap求助

碎雨轩轩

有大佬能分析分析这个电路的工作原理吗？感谢

bingfeng34

碎雨轩轩 发表于 2021-12-1 16:33
但是左边NMOS源端没有接地，而是接到电阻上

所以，最左边支路电流和中间支路电流的和（1：2的比例，所有温度下都成立）等于(npn m=6) BJT 下的电阻电流 ΔVbe/R， 都是PTAT的。由于所有温度电压下最左边支路电流和中间支路电流的比例1：2，成立。可以这样子等效：这个电阻为R，左边NMOS 源端串联3R电阻接地，(npn m=6) BJT e端串联1.5R接地，这样子就分成两条独立支路。正常工作下都成立。 这都是目测哈， 仿真一下就清楚了

freehero

咋一看用了一个亚阈区的MOS产生一个CTAT到NPN那边的PTAT合成零温电流，然后将电流镜像到输出用一个电路产生电压

bingfeng34

(npn m=6) BJT 下的电阻电流 ΔVbe/R , PTAT的。 也就是最左边支路电流和中间支路电流的和，1：2的比例。所以都是PTAT的。输出VREF  PTAT。 基本没有CTAT补偿。  变种的cont-gm。 用bjt实现的。左边NMOS source端接地。就是常用的cont-gm架构。 目测这样子

碎雨轩轩

bingfeng34 发表于 2021-12-1 15:52
(npn m=6) BJT 下的电阻电流 ΔVbe/R , PTAT的。 也就是最左边支路电流和中间支路电流的和，1：2的比例。所 ...

但是左边NMOS源端没有接地，而是接到电阻上

camelotking

(1) This is a PTAT reference generator only
(2) You can add a NPN at the bottom of right side and short Base&Collector to get VBG. You need to adjust the resistor to get right coefficient.
(3) 2*Ic=Is*exp(VBE1/Ut) => VBE1=Ut*ln(2*Ic/Is)
(4) 2*Ic=6*Is*exp(VBE2/Ut) => VBE2=Ut*ln(Ic/(Is*3))
(5) VBE1-VBE2=3*Ic*R=Ut*ln(2*Ic/Is * (Is*3)/Ic)=Ut*ln(6)=25.8mV*ln6=46.2mV at 27'
(6)3Ic*R=46.2mV Ic=15.4mV/R
(7)VREF=6*Ic*R=92.45mV at 27'C