在线咨询 开启辅助访问 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

便捷登录,只需一步

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
芯片精品文章合集(500篇!)    创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 109|回复: 0

[求助] CMOS交叉耦合整流器的输入S参数仿真

[复制链接]
发表于 2021-11-25 16:02:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
1资产
请问各位大佬,有人知道CMOS交叉耦合整流器的输入阻抗应该怎么仿真吗?我之前用sp分析,发现需要设置静态工作点并且适用于小信号。我的整流器没有直流工作点,它是通过差分交流信号以及电容的充放电而产生的栅极电压自偏置。
hb分析中的LSSP(大信号S参数),倒是适用于非线性电路的大信号分析,不过需要两个port,整流器输出是直流信号…又觉得不对。
并且这两种分析的结果都和大多数论文给出来的不一样。
所以,请问有人知道整流器的输入S参数怎么仿吗?

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2021-12-9 11:34 , Processed in 0.056176 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表