阈值随着宽度的变化的反小尺寸效应

此系封 · 发表于 2021-11-23 14:02:59

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各位大神，一般按照分析，width的减小会导致vth上升，但是为啥都最小的时候又会导致VTH下降一点点呢？
谢谢！！！

hitzhabc · 发表于 2021-11-23 14:26:03

现代工艺中，为了提高MOS器件短沟道条件下的性能，会在源漏区增加一步叫做halo doping的工艺过程，防止源漏区穿通。从而使Vth随沟道长度先增加再减小。也有部分工艺的Vth是一直随着沟道长度增加而减小的。

ywbeloved · 发表于 2021-11-23 17:40:02

并不是所有的MOS都是随着沟道宽度减小而增加的，你所说的width的减小会导致vth上升应该是针对的Locos隔离器件。而STI隔离的器件Vth是反窄沟道效应，随沟道宽度变窄，由于电场集中导致Vth下降。

此系封 · 发表于 2021-12-30 08:34:00

hitzhabc 发表于 2021-11-23 14:26
现代工艺中，为了提高MOS器件短沟道条件下的性能，会在源漏区增加一步叫做halo doping的工艺过程，防止源漏 ...

你说的这个我理解的，但是我现在说的是宽度，不是长度，这个在长度方向也有影响吗？谢谢

此系封 · 发表于 2021-12-30 08:35:14

ywbeloved 发表于 2021-11-23 17:40
并不是所有的MOS都是随着沟道宽度减小而增加的，你所说的width的减小会导致vth上升应该是针对的Locos隔离器 ...

谢谢你的回复。有什么资料讲这个的吗？我从没有在什么书上看到过这个理论呢？谢谢！

ywbeloved · 发表于 2022-1-14 13:56:49

本帖最后由 ywbeloved 于 2022-1-14 13:59 编辑

此系封发表于 2021-12-30 08:35
谢谢你的回复。有什么资料讲这个的吗？我从没有在什么书上看到过这个理论呢？谢谢！ ...

VT随着W变化有两个理论，一个叫窄沟道效应，对应的Locos隔离，随着W减小，Vt增大，是由于W减小到一定程度后，W两侧边缘locos鸟嘴延伸到AA区域，鸟嘴oxide比gate oxide厚，此处反型所需电压加大；一个叫反窄沟道效应，对应的是STI隔离，随着W较小，Vt减小，是由于STI边缘电场集中导致。
你网上搜索窄沟道效应和反窄沟道效应应该都有介绍，或者晶体管原理介绍的书籍都会有讲的。

此系封 · 发表于 2022-1-15 10:20:32

ywbeloved 发表于 2022-1-14 13:56
VT随着W变化有两个理论，一个叫窄沟道效应，对应的Locos隔离，随着W减小，Vt增大，是由于W减小到一定程度 ...

好的我搜索看看哈非常感谢

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