请问增大输入管gm可以降低输入失调电压这个性质对亚阈值器件起作用吗？

五九X改

我在设计电路时，原本是用的32u/8u的输入，这时输入管处于饱和区，gm为25u，然后我将输入管改为了168u/2u，gm为40u，管子处于亚阈值，这时失调明显减小了，请问这是增大gm的原因吗？而且为什么增大gm可以降低失调？之前看推导说是可以降低VGS-VTH，但是不是VGS-VTH控制gm吗？这是不是因果倒置了？

豆不毁

电流不变，增大w/l会增大gm，是对的啊。w/l不变的时候，降低VGS-VTH会增大gm。

五九X改

   

豆不毁 发表于 2021-11-2 08:57
电流不变，增大w/l会增大gm，是对的啊。w/l不变的时候，降低VGS-VTH会增大gm。

...

增大输入管gm会降低输入失调电压的原因是什么？之前看帖子都是把失调公式的VGS-VTH变成了I/gm，然后说明gm与失调成反比，但gm不是由VGS-VTH控制的吗？这种解释就变成了gm控制VGS-VTH，感觉成因果倒置了

xuwenwei

第一你增加W/L 面积增加本来就对失配有好处，第二当mos管进入亚阈值区，其特性比较接近BJT了，失配的那个公式也会相应的变化，失配会变小，第三根据失配公式，应该是Vgs-Vt越小，失配越小，在电流不变的情况下，你增加了W/L，Vgs-Vt就会变小，而电流不变的情况下，你增加了W/L，gm会变大，gm不是由Vgs-Vt控制的，是由W/L*（Vgs-Vt）控制的，你增加了W/L你不考虑进去吗？

五九X改

   

xuwenwei 发表于 2021-11-2 09:35
第一你增加W/L 面积增加本来就对失配有好处，第二当mos管进入亚阈值区，其特性比较接近BJT了，失配的那个公 ...

谢谢回答，请问亚阈值器件的失配公式是用的BJT的失配公式吗？而且之前我看了一篇文章说亚阈值会让失配变大

acging

   

五九X改 发表于 2021-11-2 10:10
谢谢回答，请问亚阈值器件的失配公式是用的BJT的失配公式吗？而且之前我看了一篇文章说亚阈值会让失配变大 ...

什么文章？bjt本来失配就比CMOS好不少，亚阈值同理并不会比饱和区差。

五九X改

   

acging 发表于 2021-11-2 14:08
什么文章？bjt本来失配就比CMOS好不少，亚阈值同理并不会比饱和区差。

[1] Gyvez J ,  Tuinhout H P . Threshold voltage mismatch and intra-die leakage current in digital CMOS circuits[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2004, 39(1):157-168.
这篇文章说的

子车天纵

亚阈值失配要小，偏向于BJT了

五九X改

   

子车天纵 发表于 2021-11-2 15:12
亚阈值失配要小，偏向于BJT了

为什么BJT失配比MOS小？

子车天纵

   

五九X改 发表于 2021-11-2 15:47
为什么BJT失配比MOS小？

BJT没有阈值电压的失配，其它失配项的系数也比MOS的小