smic110nm工艺, calibre寄生提取

shark1225 · 发表于 2021-9-26 17:10:21

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大家好，目前，我们项目工艺是smic110，用calibre提取寄生的时候出现一个问题，求助大家是否有遇到过，怎么解决，谢谢1，模块A用gate level模式提取寄生，针对两条线netA,netB的寄生，目前个人觉得提取的寄生是ok的（mom13的电容内部底层1,2,3层的金属没有提取出来）
2，同样是模块A，只是将其它金属向模块A的上面拉伸出去了一些（netA,netB两条线没有改动），提取出来的寄生比第一条提取的netA,netB线大了很多，目前发现器件mom13的电容内部的1,2,3层金属被提取出来了。
问题：我们每次把金属往模块A上面伸出去一些，两条线netA,netB的寄生就会出现mom13电容底层1,2,3金属寄生，同时，模块左右两边伸出金属，提取的netA,netB寄生就没有增加mom13的金属电容，为什么会出现这种情况，需要怎么解决？

carter_jim · 发表于 2021-9-26 17:27:21

寄生电容分为好几种情况：
1. one layer nearbody
2. two layer nearbody
3. via to via
4. layer to via
5.fringe
6.plate
你需要考虑金属走线对你模块有何种影响
寄生电容可以通过命令PEX Ignore Capacitance来进行忽略，不过这个要看你的PEX怎么写的了

shark1225 · 发表于 2021-10-19 17:52:53

已经解决

[求助] smic110nm工艺, calibre寄生提取

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