东部 RFSOI 1.2V/2.5V 130nm

xiaolongg · 发表于 2021-9-15 17:30:57

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现在用的东部的RFSOI工艺中 RF器件是5端器件，G S D B（guardring）还有一个端口是sub,电路上都是浮空的，但是我怎么都过不了lvs 就是这个sub报错，看了design rule TSC层次加了没用，直接检测不到器件了，请问我是不是应该加其他层次，具体应该怎样？有没有大佬能给点建议

yanpflove · 发表于 2021-9-16 09:11:49

你好，
电路上的sub不应该浮空
请尝试联系电路设计师
版图工程师遇到的大部分问题，首先不应该来论坛发帖，而是和自己的电路设计师沟通，他能解决我们遇到的大部分问题

swcidfy2000 · 发表于 2021-9-16 13:37:53

RFSOI工艺是五端器件不是四端器件需要额外的层次标一个LABEL

xiaolongg · 发表于 2021-9-17 09:17:39

yanpflove 发表于 2021-9-16 09:11
你好，
电路上的sub不应该浮空
请尝试联系电路设计师

电路上的sub就是浮空的您可能没用过东部.13的SOI工艺。

xiaolongg · 发表于 2021-9-17 09:23:26

yanpflove 发表于 2021-9-16 09:11
你好，
电路上的sub不应该浮空
请尝试联系电路设计师

你好，你可能没用过这种工艺，电路上是会有sub浮空的。

yanpflove · 发表于 2021-9-17 10:03:34

xiaolongg 发表于 2021-9-17 09:23
你好，你可能没用过这种工艺，电路上是会有sub浮空的。

嗯，是的，不好意思，我想当然了

xiaolongg · 发表于 2021-9-17 11:36:06

yanpflove 发表于 2021-9-17 10:03
嗯，是的，不好意思，我想当然了

没事，我刚开始也觉得有问题，后来才知道是需要浮空的，大家一起探讨。

812740404 · 发表于 2022-5-5 21:12:39

请问楼主，能分享一下这个工艺库吗，万分感谢！

[求助] 东部 RFSOI 1.2V/2.5V 130nm

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