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[原创] 振荡器反相器的驱动能力

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发表于 2021-9-1 11:28:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1.我看到书本上写的说Vcont从VDD开始下降时,falling edge时间会逐渐增加?我仿真也看到了这个问题,请问这是什么原因?为什么对rising edge没有影响?
image.png
2. 还有下面加了一个bias管为什么降低振荡频率?
谢谢大神,刚接触PLL,还有好多不懂的东西。
发表于 2021-9-1 15:07:51 | 显示全部楼层
新人回答 Vcount 下降的时候 nmos 的抽电流下降,自然下降沿会增加
下面加一个bias 不是为了可以根据bias的大小来调节频率的吗?
顺便问下什么书 我也想学习学习PLL
 楼主| 发表于 2021-9-1 15:49:22 | 显示全部楼层


xuwenwei 发表于 2021-9-1 15:07
新人回答 Vcount 下降的时候 nmos 的抽电流下降,自然下降沿会增加
下面加一个bias 不是为了可以根据bias ...


上升沿不受影响么?拉扎维的Design of CMOS phase-locked loops。
image.png
发表于 2021-9-1 16:20:09 | 显示全部楼层


Murphy_001 发表于 2021-9-1 15:49
上升沿不受影响么?拉扎维的Design of CMOS phase-locked loops。


上升沿大部分都是看上面的pmos,你上面pmos没变,几乎就没啥影响
发表于 2023-9-22 09:38:40 | 显示全部楼层
书上不是也解答了吗?下面两个级联的nmos,相当于增大了nmos的length,泄放电流变小,下降沿就变缓了。
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