前仿阶段非易失性memory的upf仿真问题

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-10 14:32:10

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如题，对于非易失性memory，比如rom efuse，如果定义了对于的电压域PD_A，PD_A power_down之后，从新POWER_ON, 实际上这些memory中的值还是存在的.

仿真的时候是怎么处理的，设置成retention的memory嘛？
还是一直给这些memory供电

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-10 14:33:16

是不是可以在仿真阶段把这些memory设置成retention的一些memory

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-10 16:21:58

或者可以使用set_sim_control -action disable_corruption -type reg 指令来让对应的mem保持数据

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-10 16:22:48

set_sim_control -action disable_corruption

ppeezz · 发表于 2021-8-10 17:37:52

本帖最后由 ppeezz 于 2021-8-10 17:39 编辑

这个问题前后仿都会存在，目前一种处理方法是：rom power up后重新initial
efuse 在power down的时候backdoor读出来存储在tb的数组里面，power up的时候再backdoor的写回去

liufulin199346 · 发表于 2021-8-10 17:58:49

在upf里设置下dont touch属性吧
set_design_attributes -attribute {UPF_dont_touch TRUE} -models {your_mem_module}

saipolo · 发表于 2021-8-10 22:02:36

查set_design_attributes这个命令吧，很多种方式都可以实现你的需求，比如下面的：
set_desgin_attributes -attribute UPF_dont_touch TRUE \
-models <model list> -elements <signals>

年轻的韭菜 · 发表于 2021-8-11 09:56:14

saipolo 发表于 2021-8-10 22:02
查set_design_attributes这个命令吧，很多种方式都可以实现你的需求，比如下面的：
set_desgin_attributes ...

宝龙哥，爆赞！

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-12 19:47:13

ppeezz 发表于 2021-8-10 17:37
这个问题前后仿都会存在，目前一种处理方法是：rom power up后重新initial
efuse 在power down的时候backdo ...

谢谢指导，

新嘴小王安子 · 发表于 2021-8-12 19:51:03

liufulin199346 发表于 2021-8-10 17:58
在upf里设置下dont touch属性吧
set_design_attributes -attribute {UPF_dont_touch TRUE} -models {your_m ...

UPF_dont_touch这个属性是upf3.0的特性吗？请问有相应的文档吗

[讨论] 前仿阶段非易失性memory的upf仿真问题