关于后仿，R、R+C和R+C+CC结果差异大，求助

feiyufox

华虹BCD180工艺，大面积POWER MOS器件，提参数后仿，看RDSON。仿真都是按conservative精度，纯粹只看RDSON，其它性能不关注。

分别提取了R、R+C、R+C+CC三种，仿真结果对比：
结果R、R+C这两种结果较一致，跟前仿结果相差不大，但R+C+CC后仿的结果就大很多，比之前的大80%

请教有没有碰到过类似的情况，哪种结果更可信啊？

andyfan

如果抽的文件和抽的流程都没问题，肯定最后一个考虑了耦合电容的最准。但问题是，经常有时候抽RC的东西没那么可靠，FAB提供的工艺文件，抽取的设置还有流程等等，所以最好能采用反标的方式，看到底哪的寄生造成这个影响，再估算下，这个寄生是否合理。

按0.18节点，和POWER MOS来看，我倒是觉得抽取出问题可能更大。先进工艺考虑耦合的情况比较多，数字电路做时序的时候，先进节点肯定要带crosstalk去分析的，但你这么老的工艺，还是POWER MOS，如果不是版图有严重问题，不应该有CC引起的问题。