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查看: 2001|回复: 9

[原创] ESD 损伤机理请教

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发表于 2021-6-29 21:21:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教 下图 Gate to Poly 这里的损伤机理是什么



图片.png

发表于 2021-6-30 08:53:39 | 显示全部楼层
删漏击穿?
发表于 2021-6-30 08:54:45 | 显示全部楼层
看起来更像是drain to source fail了,把poly也去掉,看看poly下面的沟道是不是也烧了
 楼主| 发表于 2021-6-30 09:16:40 | 显示全部楼层


winningzhong 发表于 2021-6-30 08:54
看起来更像是drain to source fail了,把poly也去掉,看看poly下面的沟道是不是也烧了 ...


Poly已经去除,沟通看起来没烧穿
发表于 2021-7-1 08:44:20 | 显示全部楼层


hilucp 发表于 2021-6-30 09:16
Poly已经去除,沟通看起来没烧穿


这幅图就是poly已经去掉的图是吧?这一组ESD MOS就只有这个点烧掉?
发表于 2021-7-1 14:11:08 | 显示全部楼层
还有看你这个照片,layout上面好像没有按照ESD rule去画,或者偷rule了。
确认下,这个坏点是不是在整个ESD device的最中间。要是的话,可能是因为均匀性的原因,导致烧坏了。
发表于 2021-7-3 10:42:35 | 显示全部楼层
高压击穿吧?
发表于 2021-7-12 16:52:07 | 显示全部楼层
看起来像是高压击穿
 楼主| 发表于 2021-7-29 08:46:44 | 显示全部楼层


巫_婆 发表于 2021-7-12 16:52
看起来像是高压击穿


请教如何判断是高压击穿的

 楼主| 发表于 2021-7-29 09:04:32 | 显示全部楼层


请教这个如何判断的呢
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