PMOS管做电容的原理

lfsundahuan · 发表于 2021-5-25 16:03:37

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各位大神，小弟有个疑问，PMOS做电容的时候，一般S、D、B均接VDD，G接信号线，如果把S、D、B接成GND，此接法还能形成电容吗？

方块forever · 发表于 2021-5-25 16:44:35

我感觉也是可以的，你可以仿真测一下，看这样子连的电容是不是也是一样的值。

幽影 · 发表于 2021-5-25 17:02:00

可以是可以，但是还得对他做隔离，要接地的话还不如直接用nmos呢。
电容值我不清楚，想来差不多吧。

不许来我家干饭 · 发表于 2021-5-25 17:19:04

我这边是三端接高电位，G接低电位，nmos相反

存在感 · 发表于 2021-5-25 19:09:16

理论上可以使用，大多数情况下也可以使用，高压/负压/或多电压域要多注意 latch up ，与漏电的可能性。

banakkk · 发表于 2021-5-25 20:53:34

pmos的衬底接地，也就是nwell接地，cmos工艺的nwell通常不会接地，建议用nmos来做电容，易拼接，如果一定要用pmos做电容的话，衬底那三端要接高电位，gate接低电位

小熊饼哈哈哈 · 发表于 2021-5-26 09:50:23

可以是可以，但是nwell我们为什么希望接vdd嘞，你这样nwell就接低电位了，寄生的pn接就存在了导通的可能性呀。

Williams00 · 发表于 2021-5-26 15:31:53

学习了

模拟后端的小白 · 发表于 2021-5-31 10:02:20

请问一下NMOS电容作用是什么。

博命zZ · 发表于 2021-5-31 11:27:27

可以的，VAR电容的用法通常也是nmos放在NW上S、D、B接地，G接高电位，但需要注意latch up，而且不能放在DNW中

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