关于根据工艺库文件计算μnCox的问题

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-22 16:18:17

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本帖最后由红红的西瓜于 2021-5-22 22:50 编辑

我现在用的是ntc .35工艺库，想算其中一个器件nl5的μnCox，工艺文件以及计算结果如下：

。然后用cadence搭一个仿真电路，如下图

；忽略沟道调制效应计算漏极电流I=1/2μnCoxW/L(Vgs-Vth)^2≈459uA，而仿真结果是192uA，为什么会差这么多呢？？到底是计算错误还是哪个地方有问题，感谢各位大佬帮忙解答！

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-22 16:30:40

本帖最后由红红的西瓜于 2021-5-22 16:52 编辑

搞了半天，算出来差这么多，积极性都没了。

wjx197733 · 发表于 2021-5-22 17:08:46

红红的西瓜发表于 2021-5-22 16:30
搞了半天，算出来差这么多，积极性都没了。

我也存在这个疑问。楼主有没有试试把沟道长度从0.5u增加到2u，或者调节一下vds的电压？

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-22 18:17:29

wjx197733 发表于 2021-5-22 17:08
我也存在这个疑问。楼主有没有试试把沟道长度从0.5u增加到2u，或者调节一下vds的电压？
...

增大沟道长度，漏电流基本以192u等比减小。对Uds做dc仿真，漏电流基本也是在180uA到230uA，应该不是这方面的问题呢。

andyfan · 发表于 2021-5-22 21:01:59

你算的就是你写的公式，还是加了平方了？

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-22 22:49:51

andyfan 发表于 2021-5-22 21:01
你算的就是你写的公式，还是加了平方了？

加平方了，抱歉，写错了。大哥知道原因吗？

andyfan · 发表于 2021-5-23 10:00:56

红红的西瓜发表于 2021-5-22 22:49
加平方了，抱歉，写错了。大哥知道原因吗？

猜测是速度饱和的原因，迁移率应该是一个接近固定的值。

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-23 12:38:48

andyfan 发表于 2021-5-23 10:00
猜测是速度饱和的原因，迁移率应该是一个接近固定的值。

迁移率确实不会有太大变化，而且仿真也是在默认温度下进行。速度饱和一般是在短沟道下才明显是吧，我把沟长调到10u了，结果手算和实际漏电流还是差1倍。

andyfan · 发表于 2021-5-23 12:58:25

红红的西瓜发表于 2021-5-23 12:38
迁移率确实不会有太大变化，而且仿真也是在默认温度下进行。速度饱和一般是在短沟道下才明显是吧，我把沟 ...

不仅仅是，迁移率和垂直电场也强相关，这个一句话两句话说不清楚，建议去看专门的器件物理书

捕获.PNG

红红的西瓜 · 发表于 2021-5-23 22:58:42

andyfan 发表于 2021-5-23 12:58
不仅仅是，迁移率和垂直电场也强相关，这个一句话两句话说不清楚，建议去看专门的器件物理书

学习了

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