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[求助] 保护环悬空

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发表于 2021-4-15 18:56:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一些DMOS 外面加了P N P类型的gurading ring 有什么作用吗???




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发表于 2021-4-16 09:52:16 | 显示全部楼层
我听你的描述N应该是ISO环,第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环,两个p环不作过多解释是起衬底作用为mos管提供工作环境,n环的话是给深n井赋电位构成深井隔离预防闩锁效应。不过这三个环应该都有电位,不应该浮空的,要不你发张电路截图来看看。
发表于 2021-4-16 15:39:43 | 显示全部楼层


musclerush 发表于 2021-4-16 09:52
我听你的描述N应该是ISO环,第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环,两个p环不作过多解释是起衬底作用为 ...


我记得 之前有的项目是这样做的,因为内部可能Nmos的电位可能是负的这样寄生的NPN就会导通,如果外面N接了电位就会从这个寄生管抽取异常电流,这是不希望看到的
 楼主| 发表于 2021-4-23 15:59:50 | 显示全部楼层


musclerush 发表于 2021-4-16 09:52
我听你的描述N应该是ISO环,第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环,两个p环不作过多解释是起衬底作用为 ...


这三个环是在外加的,不是PLDMOS PCELL里面带的环。就是这三个是guard_ring.



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