关于芯片内部LDO供电和外部电源供电的问题

rickandmorty

在芯片设计时，由于同一电路模块里面采用了多电源的供电，其中一个电源来自内部LDO，另外一个是由芯片外部直接灌进去，由于安全性的考虑，这里不得不考虑上电时候的情况，所以这里想请问一下内部LDO和外面电源，哪个上电更快？

lynker

确实是个复杂的问题，不过你的描述过少不好分析

lidequan

是该模块有2种供电方式吗

xuwenwei

一般都是外部上电稳定了以后内部才产生吧，外部都不稳，内部怎么稳定工作呢

acging

内部的LDO也是靠外面这个电压工作的吗

rickandmorty

acging 发表于 2021-3-29 17:10
内部的LDO也是靠外面这个电压工作的吗

内部的LDO供电也是来自外部，不过不是相同的电源

rickandmorty

lynker 发表于 2021-3-29 11:47
确实是个复杂的问题，不过你的描述过少不好分析

具体是这样的，芯片内部一个电路的模块电源是由芯片外部灌的1.8V(这里暂时称为电源1),1.8V接了管子的漏端，但是这个电路模块中存在一个偏置电压是由内部LDO供给的1.1V，1.1V接管子的G端，而这个芯片内部的LDO是也由芯片外部的一个1.8V电源，这个电源1.8V就是前面的电源1，所以就考虑到芯片上电的过程中管子击穿的问题（管子是1.0V耐压的，在电路稳定时，管子不会坏），现在想知道内部LDO上电快还是外部供电快，方便设计保护电路

rickandmorty

之前描述不太完整，现在再描述一遍。具体是这样的，芯片内部一个电路的模块电源是由芯片外部灌的1.8V(这里暂时称为电源1),1.8V接了管子的漏端，但是这个电路模块中存在一个偏置电压是由内部LDO供给的1.1V，1.1V接管子的G端，而这个芯片内部的LDO是也由芯片外部的一个1.8V电源，这个电源1.8V就是前面的电源1，所以就考虑到芯片上电的过程中管子击穿的问题（管子是1.0V耐压的，在电路稳定时，管子不会坏），现在想知道内部LDO上电快还是外部供电快，方便设计保护电路

peterlin2010

rickandmorty 发表于 2021-3-29 20:43
之前描述不太完整，现在再描述一遍。具体是这样的，芯片内部一个电路的模块电源是由芯片外部灌的1.8V(这里 ...

之前描述不太完整，现在再描述一遍。具体是这样的，芯片内部一个电路的模块电源是由芯片外部灌的1.8V(这里暂时称为电源1),1.8V接了管子的漏端，但是这个电路模块中存在一个偏置电压是由内部LDO供给的1.1V，1.1V接管子的G端，而这个芯片内部的LDO是也由芯片外部的一个1.8V电源，这个电源1.8V就是前面的电源1，所以就考虑到芯片上电的过程中管子击穿的问题（管子是1.0V耐压的，在电路稳定时，管子不会坏），现在想知道内部LDO上电快还是外部供电快，方便设计保护电路


1.8V 电源1
1.1V LDO 电源2

如果说 1.1V LDO 也由 1.8V 电源1 , 那一定电源1 先来, 但是问题 电源1 外面"有大电容" 下会爬多快.   爬到多高时  1.1V LDO 电源2会好 .

不过明明1.8v管为何不做1.8v LDO .  非要拿 1.0V耐压的 管子 .  这那类工艺?

因为, 1.8v 电源1 系统给电, 你不能限制爬升 ,  有些会接电容.   有些会接 switch . 那开关过来会是瞬间 . 有些则其他LDO 稳电压过来又不同 .

内部LDO上电快还是外部供电快
=> 难说.  一般会做 UVLO or power_ok , 电压没到前不会开.

rickandmorty

peterlin2010 发表于 2021-3-30 06:58
之前描述不太完整，现在再描述一遍。具体是这样的，芯片内部一个电路的模块电源是由芯片外部灌的1.8V(这 ...

谢谢，您考虑得更全面些，对我很有启发。坦白说我们是做逆向的 （现在逆向一款的是14nm数模混合芯片），现在也很困惑，第一次做这样的先进制程下的模拟电路，尤其是这种多电源的设计，很多都觉得不合理。但是别人又确实是那么做出来的，所以就想搞明白