MOS电容的容值误差比MIM电容要小！？

CWBBest · 发表于 2021-1-9 15:52:10

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电路中要用MIM做耦合电容，跑了一下负载对地电容（也就相当于MOS电容了吧）和MIM电容的蒙特卡洛仿真，发现负载电容的 Std Dev 居然比MIM小了一个数量级。1. 现实情况是这样的吗，还是说是模型的问题？
2. 如果模型正确，那是不是说明mos电容只是线性度很差，而绝对容值精度很高呢？

蒙特卡洛仿真结果

南岭小小生 · 发表于 2021-1-9 21:36:08

楼主是在61环境下跑的吗，教程可以分享一下吗

CWBBest · 发表于 2021-1-9 21:55:56

南岭小小生发表于 2021-1-9 21:36
楼主是在61环境下跑的吗，教程可以分享一下吗

这个论坛上还有别的地方都有很多的。

JohnHilo · 发表于 2021-1-10 00:31:21

MOS电容gate电压你设置多少？这个比较大的话会对Vth不敏感的。

CWBBest · 发表于 2021-1-10 11:06:12

JohnHilo 发表于 2021-1-10 00:31
MOS电容gate电压你设置多少？这个比较大的话会对Vth不敏感的。

是CML电路，栅压给的1.05V。因为底下还有一层电流镜，所以过驱动电压是114m。

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