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查看: 6873|回复: 13

[求助] 直接上变频发射机本振泄露过大的原因

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发表于 2020-12-25 14:58:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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现在在开发一款射频芯片,发射机采用的是直接上变频的方式(基带信号直接与本振信号混频发射),但是目前流片回来后发现TX的本振泄露非常大,有效信号在-8dBm左右,而本振信号有将近-23dBm…
希望各位大佬能否给个建议,这种情况下的本振泄露一般是如何导致的?有什么方法进行抑制?
发表于 2020-12-25 15:49:43 | 显示全部楼层
做过哪些测试?排除了哪些原因?
发表于 2020-12-25 15:55:12 | 显示全部楼层
mixer仿真看不到吗?
 楼主| 发表于 2020-12-26 12:00:40 | 显示全部楼层


fzj_001 发表于 2020-12-25 15:49
做过哪些测试?排除了哪些原因?


第一版的时候就有这个问题,当时判断是IQ之间和PN之间的失调电压过大导致的,于是乎追加了校准电路;第二版回来后校准有一定效果,但是依然很有限,达不到方针的效果。
 楼主| 发表于 2020-12-26 12:02:37 | 显示全部楼层


rayhardenne 发表于 2020-12-25 15:55
mixer仿真看不到吗?


现在就是流片回来后实测发现和仿真差距有些大。
第一版追加的校准电路有一定的效果,但是效果不好。
请问一下一般这种是什么情况导致的?
发表于 2020-12-26 14:58:40 | 显示全部楼层


关森陌 发表于 2020-12-26 12:02
现在就是流片回来后实测发现和仿真差距有些大。
第一版追加的校准电路有一定的效果,但是效果不好。
请问 ...


导致LO leakage的就是隔离度,如果你仿测不一致,那说明隔离度的决定路径你们没找到。版图上看看LO从哪里更容易耦合到RF信号链路上,仿测先大致对的上,你们才有修改的方向
 楼主| 发表于 2020-12-26 20:50:51 | 显示全部楼层


rayhardenne 发表于 2020-12-26 14:58
导致LO leakage的就是隔离度,如果你仿测不一致,那说明隔离度的决定路径你们没找到。版图上看看LO从哪里 ...


谢谢您的指点,请问有没有什么文献或者资料讲解这一方便的内容?
您的意思是说可能Layout上面的影响会更大?
发表于 2020-12-26 21:45:12 | 显示全部楼层
LO幅值有多大?是方波啊?
 楼主| 发表于 2020-12-26 21:57:33 | 显示全部楼层


lynker 发表于 2020-12-26 21:45
LO幅值有多大?是方波啊?


LO是1.1V的方波
发表于 2020-12-28 15:37:20 | 显示全部楼层
DC影响大一些,其次是LO泄露。
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