高压浮动电平位移电路 LDMOS

剑指天涯 · 发表于 2020-12-18 21:16:44

MPLD是耐90V高压的非对称LDMOS管，MP2是非对称的MOS管，VB是浮动电源（初值等于VCC），VS是浮动地（VB-VS=VCC），VCC是低压域电源，COM是固定地（0电位）。电路的分析分两种情况，IN为低电平（COM）和IN为高电平（VCC）。电路的分析分两种情况，IN为低电平（COM）和IN为高电平（VCC）。几个三极管恒定关断。存在的问题：MP2与MPLD的衬底接了低电位，会导致漏电问题。

当IN为低电平时，MPLD高压管漏端电位高于源端和衬底电位，P管使用N型衬底，当衬底电位低于漏端时，PN结正偏，有电流从漏流向衬底。再通过衬底流向地COM。因此MP2的漏端电位同样高于衬底，电流从MP2漏端流向衬底，再通过衬底流向前级。

当IN为高电平时，初始VB=VCC，显然MP2栅源短接管子截止，而对于MPLD源端和漏端电位都不可能高于栅端电位，因此也是截止区。但VOUT电位在MP2、MPLD都截止的情况下，显然高于MPLD源级和衬底电位，即有电流会通过MPLD漏级流向衬底，通过衬底流向COM。

上图为一个高压浮动的电平位移电路，但经过分析存在上述问题，望有大侠解答疑惑

剑指天涯 · 发表于 2020-12-18 21:17:41

顶!!!!!!!

jeffej · 发表于 2020-12-18 21:52:12

too small of figure !!!

剑指天涯 · 发表于 2020-12-19 10:13:59

本帖最后由剑指天涯于 2020-12-19 10:15 编辑

jeffej 发表于 2020-12-18 21:52
too small of figure !!!

您好，这样能看清吗

jeffej · 发表于 2020-12-20 09:50:30

If VB-VS=VCC, VB will be larger VCC, MPLD will have leakage !!!!

剑指天涯 · 发表于 2020-12-20 10:31:38

jeffej 发表于 2020-12-20 09:50
If VB-VS=VCC, VB will be larger VCC, MPLD will have leakage !!!!

I agree it,but the circuit is provided from layout.

peterlin2010 · 发表于 2021-4-4 10:22:54

後来你如何解决?

LDMOS 都 gate 低压

要如何做INVERT GATE? Pmos Nmos gate 不能有高压
是否都接 zener clamp ?

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