栅极和衬底之间耐高压的工艺。

ww1573428537 · 发表于 2020-8-11 15:37:12

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有没有大佬知道哪个工艺栅极和衬底之间耐高压，要大于18V。目前用的smic的BCD工艺中的ldmos只能耐压5v，也无法用结构解决。

ww1573428537 · 发表于 2020-8-11 16:02:47

别沉呀

843071455 · 发表于 2020-8-11 21:27:24

很多的，一般0.5um及以上尺寸的工艺都能满足这种要求。例如上华，新唐，矩晶，旺宏，华虹，方正，汉磊等等都有这种工艺的，就是不知道你要多大的尺寸的工艺，如果尺寸比较小可能选择比较少！

hijackerhaha · 发表于 2020-8-12 08:53:40

有HV工艺，耐18V没问题

hijackerhaha · 发表于 2020-8-12 08:56:43

他们有单独的18V高压平台，不是BCD平台，你可以去问问

ww1573428537 · 发表于 2020-8-14 11:09:11

hijackerhaha 发表于 2020-8-12 08:53
有HV工艺，耐18V没问题

主要是栅极和衬底只能耐5V

843071455 · 发表于 2020-8-14 12:19:04

ww1573428537 发表于 2020-8-14 11:09
主要是栅极和衬底只能耐5V

你还是没有理解，他说的HV工艺，栅极就是可以耐高压的，很多以前的的工艺制程都能满足栅极耐高压！你竟然没有用过？

ww1573428537 · 发表于 2020-8-14 15:49:42

843071455 发表于 2020-8-14 12:19
你还是没有理解，他说的HV工艺，栅极就是可以耐高压的，很多以前的的工艺制程都能满足栅极耐高压！你竟然 ...

新手，第一次做项目- 不过目前用的smic18的BCD工艺库的确所有管子只能耐5v

andy2000a · 发表于 2020-8-14 15:52:25

BCD 都薄 oxide , 要找 DMOS工艺

Vanguard 有 0.35 3.3 /18v

0.5um 5/40v

好像有的还有 24v

UMC 也有 +/-18v等高压要去问.

不过高压 mos , vth 高 L也比较长

hijackerhaha · 发表于 2020-8-16 09:23:38

ww1573428537 发表于 2020-8-14 15:49
新手，第一次做项目- 不过目前用的smic18的BCD工艺库的确所有管子只能耐5v
...

BCD就是增加了一个DMOS，DMOS不需要栅极加高压，和IO用同样的栅氧厚度。而我们常说的HV工艺，就是栅上能加高压的

[求助] 栅极和衬底之间耐高压的工艺。