模拟集成电路设计（带具体W/L的设计）

模拟cmos · 发表于 2022-3-5 22:17:34

acging 发表于 2020-3-15 21:43
管子一般看的是vdsat值，sansen推荐200mV左右，然后根据电流去反推w/l，这是常用的设计方法。
w/l并不需要 ...

问一下我用一个pmos扫描我需要id为10u vdsat为150mv 我先设l =1u w从2u 扫到20u 然后通过dc仿真来得到当id 为10u vdsat为150mv时的w 还是直接算uncox得到w/l呢

acging · 发表于 2022-3-7 09:42:24

模拟cmos 发表于 2022-3-5 22:17
问一下我用一个pmos扫描我需要id为10u vdsat为150mv 我先设l =1u w从2u 扫到20u 然后通过dc仿真来得到 ...

目标vdsat 200mV，你现在10uA 150mV说明W/L太大了，直接调整W/L就行，不需要关心uncox了。
假如另一个管子流过20uA，只需要把W/L翻倍即可，vdsat还是200mV，以此类推。

模拟cmos · 发表于 2022-3-7 10:09:02

acging 发表于 2022-3-7 09:42
目标vdsat 200mV，你现在10uA 150mV说明W/L太大了，直接调整W/L就行，不需要关心uncox了。
假如另一个管 ...

我目前想法是我看vth好像在饱和区几乎不变然后利用vdast =vgs-vth=200mv 其实vgs-vth 应该跟vdsat不相等利用扫描不同w在过驱动为200mv时找id为10u时的w 我不知道这种想法行不行

模拟cmos · 发表于 2022-3-7 10:14:52

acging 发表于 2022-3-7 09:42
目标vdsat 200mV，你现在10uA 150mV说明W/L太大了，直接调整W/L就行，不需要关心uncox了。
假如另一个管 ...

vdsat跟器件宽长比有关系我看vdsat在不同宽长比下面都在变化如果我找id跟vdsat关系感觉很难找我就找id 跟过驱动电压vgs-vth之间的关系
因为vth不变那么vgs-vth=200mv 给定vgs= vth+200mv 的然后扫描w找到饱和时候id=10u的w 这就是我的思路

acging · 发表于 2022-3-7 13:44:39

你先搞清楚一点吧，vdsat=vgs-vth只是教科书上做的近似，实际Model中会发现并不相等。
200mV说的是model中的值，这是反应反型程度的，不要去算vgs-vth。

yerl094 · 发表于 2022-7-30 21:24:25

很有启发

starman2022 · 发表于 2023-1-4 20:07:48

十分有帮助，先mark，以后重温。

ZixunWang · 发表于 2024-3-29 14:52:38

学习一下！

zhangy0709 · 发表于 2024-11-27 15:32:40

学习一下

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