流片后测试发现不同芯片之间的静态电流差异很大

咘咘 · 发表于 2019-12-17 17:01:55

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在华润上华0.5μm工艺下流片回来之后发现同一款设计，但是芯片之间的静态电流差异很大，从0.3mA到2.1mA都有，请教一下出现这种问题之后应该排查哪些东西来找原因

victor0o0 · 发表于 2019-12-17 19:05:52

mismatch没考虑好？

robberxiong · 发表于 2019-12-17 19:17:44

检查一下你们芯片的esd保护电路，看是否有漏电问题？
再检查一下电压源偏置电路的输出是否稳定？

lijie5992373 · 发表于 2019-12-18 09:13:33

首先你要确定电流过大的芯片比例，和在CP map上的分布；
1. 几颗/wafer，这种就是缺陷造成
2. 有失效图形，比如晶圆边缘等，1. 考虑工艺不稳定 2. 考虑本身晶圆速度偏快，随速度的增加，静态电流指数上升

咘咘 · 发表于 2019-12-18 15:51:30

robberxiong 发表于 2019-12-17 19:17
检查一下你们芯片的esd保护电路，看是否有漏电问题？
再检查一下电压源偏置电路的输出是否稳定？ ...

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IO的ESD的电路图如图所示，做了IO的LVS仿真，LVS是通过的，但是发现里面有softconnect的问题（芯片整体只有一个GND，一个VDD，不是多电源系统），不知道这个会不会有产生漏电的可能？

咘咘 · 发表于 2019-12-18 15:54:44

victor0o0 发表于 2019-12-17 19:05
mismatch没考虑好？

能说的具体一点吗？不太理解是什么意思

victor0o0 · 发表于 2019-12-18 16:01:05

咘咘发表于 2019-12-18 15:54
能说的具体一点吗？不太理解是什么意思

我不知道你们具体什么情况，如果已经是量产地话，和上面其他几位说的那样，有条件的话多测量一些芯片，甚至做整块wafer的CP test，画出电流的统计分布图

如果统计分布是一个高斯分布，只是方差偏大的话，考虑是偏置电流误差太大，可以通过对仿真中加上一定的失配来确认

如果一部分和设计值接近，另一部分偏差较大，就要考虑是不是电路结构有问题导致在一些特殊的corner下面没能正常工作

love1226 · 发表于 2019-12-18 17:54:51

该工艺偏差较大，monte仿真就能看出来

咘咘 · 发表于 2019-12-18 19:25:02

love1226 发表于 2019-12-18 17:54
该工艺偏差较大，monte仿真就能看出来

可是这个工艺好像没有蒙特卡洛的模型，怎么跑Monte 仿真

yuanyuan94587 · 发表于 2019-12-31 11:37:51

同问

[讨论] 流片后测试发现不同芯片之间的静态电流差异很大

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