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查看: 1349|回复: 7

[求助] 如何采用低压cmos器件实现高压逻辑电平接收?

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发表于 2019-9-7 16:07:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题~
手上项目要接收CMOS逻辑信号,输入信号范围0~20V,工艺只能提供5V的CMOS器件,
有没有成熟的线路方案,采用栅极耐压5V的cmos器件实现0~20号的接收?
输入信号高低电平翻转点电压仍为0.8~2.4V,同时要求输入电流小于10uA
感谢~~~
发表于 2019-9-7 19:06:19 | 显示全部楼层
你拿两个电阻分压到5V不就得了。
 楼主| 发表于 2019-9-7 21:31:26 | 显示全部楼层


chenxiliang 发表于 2019-9-7 19:06
你拿两个电阻分压到5V不就得了。


20V电阻分压到5V,那么5V分压就只有1.25V了,如何实现0.8/2.4高低逻辑电平的识别?
发表于 2019-9-8 17:12:23 | 显示全部楼层
这得是片外分压再输入芯片吧,不然芯片输入的ESD都没法做
发表于 2019-9-11 10:28:13 | 显示全部楼层
一个做法是 输入端透过 esd didoe >5v 流到 VDD , 输入端最多 0~5V
不过, 你说栅极耐压5V , 工艺 5vcmos ?  或是 BCD??

 楼主| 发表于 2019-9-17 21:04:06 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2019-9-11 10:28
一个做法是 输入端透过 esd didoe 把 >5v 流到 VDD , 输入端最多 0~5V 不过, 你说栅极耐压5V , 工艺 5vcmos ...


输入端透过esd到VD的话,不就把输入电流失控了?
工艺方面是Bcd工艺
感谢关注
发表于 2019-9-17 21:49:21 | 显示全部楼层
可以用二极管串去钳位,用电阻限流。注意速度要求,如果速度要求较高,可以用高压电容去耦合。ESD没有关系,只关心钳位后的电压,用5V即可。自己搭电路调一调吧
 楼主| 发表于 2019-9-30 21:35:43 | 显示全部楼层


xlq922 发表于 2019-9-17 21:49
可以用二极管串去钳位,用电阻限流。注意速度要求,如果速度要求较高,可以用高压电容去耦合。ESD没有关系 ...


佩服佩服
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