在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1687|回复: 7

[求助] 如何采用低压cmos器件实现高压逻辑电平接收?

[复制链接]
发表于 2019-9-7 16:07:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题~
手上项目要接收CMOS逻辑信号,输入信号范围0~20V,工艺只能提供5V的CMOS器件,
有没有成熟的线路方案,采用栅极耐压5V的cmos器件实现0~20号的接收?
输入信号高低电平翻转点电压仍为0.8~2.4V,同时要求输入电流小于10uA
感谢~~~
发表于 2019-9-7 19:06:19 | 显示全部楼层
你拿两个电阻分压到5V不就得了。
 楼主| 发表于 2019-9-7 21:31:26 | 显示全部楼层


chenxiliang 发表于 2019-9-7 19:06
你拿两个电阻分压到5V不就得了。


20V电阻分压到5V,那么5V分压就只有1.25V了,如何实现0.8/2.4高低逻辑电平的识别?
发表于 2019-9-8 17:12:23 | 显示全部楼层
这得是片外分压再输入芯片吧,不然芯片输入的ESD都没法做
发表于 2019-9-11 10:28:13 | 显示全部楼层
一个做法是 输入端透过 esd didoe >5v 流到 VDD , 输入端最多 0~5V
不过, 你说栅极耐压5V , 工艺 5vcmos ?  或是 BCD??

 楼主| 发表于 2019-9-17 21:04:06 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2019-9-11 10:28
一个做法是 输入端透过 esd didoe 把 >5v 流到 VDD , 输入端最多 0~5V 不过, 你说栅极耐压5V , 工艺 5vcmos ...


输入端透过esd到VD的话,不就把输入电流失控了?
工艺方面是Bcd工艺
感谢关注
发表于 2019-9-17 21:49:21 | 显示全部楼层
可以用二极管串去钳位,用电阻限流。注意速度要求,如果速度要求较高,可以用高压电容去耦合。ESD没有关系,只关心钳位后的电压,用5V即可。自己搭电路调一调吧
 楼主| 发表于 2019-9-30 21:35:43 | 显示全部楼层


xlq922 发表于 2019-9-17 21:49
可以用二极管串去钳位,用电阻限流。注意速度要求,如果速度要求较高,可以用高压电容去耦合。ESD没有关系 ...


佩服佩服
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 20:03 , Processed in 0.021060 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表