上下变频器设计问题

chenbofan888 · 发表于 2019-7-4 23:34:29

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学生党，做的上下变频器项目指标如下：
增益：大于6dB IIP3: 大于+10dBm 隔离度：大于40dB
fRF：100～6000MHz fIF：30～4500MHz
用的工艺是SMIC55nm
因为需要在测试时达标，所以需要驱动50欧姆的负载，并在该50欧姆的负载上实现上述指标。
现在卡在了缓冲器部分的设计，主要矛盾是增益和IIP3。发现如果用源极跟随结构线性度没问题，但是增益掉的非常多，只有-10dB左右，好处是输出端宽带匹配。如果缓冲部分采用放大器结构，50欧姆负载上的增益确实可以达到6dB以上，但是这个时候的IIP3又掉了下来，只有-8dBm左右。
考虑到输出信号是超宽带的，而此处的缓冲部分相当于是一个功率放大器了，PA又很难实现超宽的频带。
因为设计经验不足，所以感到问题很棘手。
希望大家能给些思路，可以有偿交流。期待回复

c290675956 · 发表于 2019-7-5 08:08:33

可不可以混频前面用PA，后面用源极跟随器呢

rfbeginner · 发表于 2019-7-5 09:23:22

可以考虑选用一个高性能的PA

wkssssss · 发表于 2019-7-5 09:26:18

不要用源极跟随的结构，这样增益掉的多，也不利于整体的线性度，用源极跟随IIP3好是因为你的增益太小了，只有-10dB。你现在电源电压是几伏的，SMIC55nm应该有2.5V的MOS管，功耗允许的情况下可以把电源电压换成2.5V，有利于线性度。

chenbofan888 · 发表于 2019-7-5 10:05:40

c290675956 发表于 2019-7-5 08:08
可不可以混频前面用PA，后面用源极跟随器呢

你好，之前有尝试过前面采用推挽式的放大器结构，这样增益是够的，但是IIP3仍然会差得比较多。

chenbofan888 · 发表于 2019-7-5 10:07:56

rfbeginner 发表于 2019-7-5 09:23
可以考虑选用一个高性能的PA

你好，覆盖30~6000MHz频段的PA好像比较难实现呀。

chenbofan888 · 发表于 2019-7-5 10:10:02

wkssssss 发表于 2019-7-5 09:26
不要用源极跟随的结构，这样增益掉的多，也不利于整体的线性度，用源极跟随IIP3好是因为你的增益太小了，只 ...

你好，我已经是用的3.3V的电源电压了。

rfbeginner · 发表于 2019-7-5 13:50:36

chenbofan888 发表于 2019-7-5 10:07
你好，覆盖30~6000MHz频段的PA好像比较难实现呀。

尝试几个大厂找找看

c290675956 · 发表于 2019-7-5 23:22:58

额，其实这么宽的放大器还是有的，可以了解下分布式放大器。

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