请问这两个GGNMOS有什么区别？各自有什么优缺点？

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-14 15:56:19

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genehuang · 发表于 2019-5-22 10:22:06

mars0904 发表于 2019-5-21 09:10
你可以简单的理解成第二种gate floating，gate 电压不定，可能是一个中间电平，NMOS更容易导通。所以Vt1更 ...

可以这么理解，不过沟道导通主要是因为floating的gate更容易被耦合拉高，然后管子导通

genehuang · 发表于 2019-5-14 16:27:32

第二种trigger电压低一些，打ESD的时候VDD没有电，相当于gate floating

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-14 16:34:08

genehuang 发表于 2019-5-14 16:27
第二种trigger电压低一些，打ESD的时候VDD没有电，相当于gate floating

打ESD的时候gate floating是同意的，为什么第二种trigger电压还低一些？

genehuang · 发表于 2019-5-15 09:20:37

hwynhh@163.com 发表于 2019-5-14 16:34
打ESD的时候gate floating是同意的，为什么第二种trigger电压还低一些？

gate floating, Vt1会降低

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-17 18:48:49

感谢楼上同行解答，不过我还是没懂

mars0904 · 发表于 2019-5-21 09:10:50

你可以简单的理解成第二种gate floating，gate 电压不定，可能是一个中间电平，NMOS更容易导通。所以Vt1更小。

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-27 10:10:17

genehuang 发表于 2019-5-22 10:22
可以这么理解，不过沟道导通主要是因为floating的gate更容易被耦合拉高，然后管子导通
...

感谢解惑

xiaobaiyangESD · 发表于 2019-6-10 14:33:45

一定是影响VT1 具体怎么影响不知道

christ0426 · 发表于 2019-6-12 21:16:23

感谢分享

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