请教修调电路的优缺点比较

无乐不作

请教各位大神，模拟电路常用的修调方式FIB、熔丝TRIM、寄存器TRIM和存储器TRIM有什么区别，各有什么优缺点呢？在线等，欢迎讨论

acging

版图的艺术这本书有讲的。
FIB是debug或验证用的，后三种都是可以在量产中使用的。

hehuachangkai

熔丝的效果最好了，但成本较高。
trim的和存储单元的，我一直觉得不好，因为它是芯片内部短接通路实现的，且会降低PSR。
FIB是一种debug手段。。

无乐不作

acging 发表于 2019-4-10 13:19
版图的艺术这本书有讲的。
FIB是debug或验证用的，后三种都是可以在量产中使用的。 ...

看了版图的艺术这本书中相关章节，结论是如果如果工艺支持存储器，那么优先采用存储器修调，因为存储器修调所需要的编程电流更小，在封装后仍然可调，如果工艺不支持存储器，那么只能采用EFUSE形式修调，谢谢

无乐不作

hehuachangkai 发表于 2019-4-10 16:42
熔丝的效果最好了，但成本较高。
trim的和存储单元的，我一直觉得不好，因为它是芯片内部短接通路实现的， ...

个人认为熔丝和存储器都是提供0/1控制信号，给修调电路的开关管子，本质上没有什么不同啊，
您所说的“trim的和存储单元的，我一直觉得不好，因为它是芯片内部短接通路实现的”，难道熔丝不是的吗，还请再帮忙解答一下
另外降低PSR是什么意思，没找到相关资料

andy2000a

FIB debug 用 ..因改mask花钱  还要等 .. FIB 一般line & cutmetal . 信号用 不能流太多电流 也很细 一般 1um .. 1hr FIB 价格 低端 0.35um NT$ 6~8K , 高端就很贵 .

Trim  

Current trim => poly / metal fuse .  要 probe PAD, CP 时直接烧断. 现不流行

Laser Trim => laser  须做 L mark , 看 opmetal or M-1 , 因top metal比较厚 有时不好打断,  fuse都同一排 , fuse有 rule, 一开始CP要调laser能量 , CP1  measure -> trim -> CP2  确认OK不OK.  设计要先想好 clock需电压 电流,  不可能先 trim bandgap 后量 再 trimclock , 都一次就 trim 完.  Trim 后和yield ..不要有双峰.  Trim range 要想好.  

Fuse 要看工艺support   因为烧断会有东西溢出   没烧好会 融回去

Efuse => 内建 registeror MOS switch ,  一般 polyfuse 需 5v > 30~40ma 烧断 .

OTP => 类似 effuse

Fab  eFuse IP很多 32bit  64bit .如用不到  那就自己design , fuse 要 Try,,不同间FAB 可能都 testkey try .

PSR   

该不会说 PSRR ??  effuse 有些”内部PAD” 不会bonding ..

无乐不作

andy2000a 发表于 2019-4-11 15:35
FIB debug 用 ..因改mask花钱  还要等 .. FIB 一般line & cutmetal . 信号用 不能流太多电流 也很细 一般  ...

请问Current trim 、Fuse、Efuse 三者难道不是同一个概念吗，他们有什么细微的区别呢

hehuachangkai

无乐不作 发表于 2019-4-11 15:18
个人认为熔丝和存储器都是提供0/1控制信号，给修调电路的开关管子，本质上没有什么不同啊，
您所说的“tr ...

efuse是直接熔断的，类似otp，单一通路，完成后就似一个导线；
register和存储器（比如sram等），都是通过0/1控制传输门通断的，通路中存在门控开关，门控开关控制电压显然会降低模拟部分的PSRR。
FIB现在你应该没有异议。

无乐不作

hehuachangkai 发表于 2019-4-11 16:51
efuse是直接熔断的，类似otp，单一通路，完成后就似一个导线；
register和存储器（比如sram等），都是通 ...

register 和存储器的应用了解了没问题，好多模拟电路 就是这样做的 ，但是关于efuse的电路我见过好多应用其实跟register类似，也是作传输门的控制端，这样用那其实跟register没什么区别了，但如果是将熔丝直接连进模拟电路，当作导线（可烧断的导线）但是这根导线的阻抗就不可忽略了 ，这样应用还是跟寄存器有很大区别的，

andy2000a

无乐不作 发表于 2019-4-13 10:17
register 和存储器的应用了解了没问题，好多模拟电路 就是这样做的 ，但是关于efuse的电路我见过好多应用 ...

请问Current trim 、Fuse、Efuse 三者难道不是同一个概念吗，他们有什么细微的区别呢


=>  

最早 current trim  fuse  透过 “PAD”  再CP 烧断 . 很占空间  , 须多个 PAD  , 现在不使用拉

后来进步 laser trim , 用 laser烧, 但须一开始调focus和能量, 不能打超过  也要打得断, fuse 有 rule, 不能乱放. 需 L mark, X mark 一般放切割道 . 但需 laser 要花钱. 而且 CP1 -> CP2  . 就得laser 后确认trim 对不对.

Effuse 用类似 register , 但efuse 是一开基 read  , 如果一直对 “poly” fuse 流电流 会降低 derating.. poly有个特点, 一但一开始没烧断, 会变高阻抗   后, 你跟跟烧不断.  Effuse烧断后  roff  一般 ~百K ~M ohm , 但 on 时约几10欧 , effuse 须一个独立 VPPPAD . 有些3v 瞬间会升5v , 加大电流烧. Effuse switchmos 的 Rds_on 得低. 电流大才能烧断 . effuse一般如几个bit, 会模拟端自做testkey, fuse 必须够细 但又不能断, 有些会违反drc rule . 会做更细, 一般用 poly, 因 metal要更大电流去烧.

Otp  其实跟efuse一样, 只是otp一般是用 “flash”, 就一般MCU用到 flash工艺.   还有一般 logicprocess 跟 有 “flash” 的 Mos的 vth会有些差异的 . 有些家 MCU因为需flash, porting 过去后  仿真电路要修改的 .

很多mix mode 工艺 . 如改高压 或UHV , 有时都会偏掉 ,  

SOC project 如代 MCU一般用 OTP, 因为有 flash, IP 都很多bit  16/32/64bit.   还有 EEPROM  其实跟 FLASH 是不太相同. 工艺不同得看 Fab.   模拟端如 <16bit , 很多改自己做 eFuse.  但fuse 多粗需 testkeytry ..