1、求助ESD脉冲仿真方法,有的通过2000V上升时间为10ns的电源脉冲与100pf电容1500Ω电阻,再与ESD电路串联来仿真,有的直接加较低电压的10ns上升脉冲,还有的加的是例如,2.4v and 5v ESD like voltage pules with 2 ns rise time are applied to the vdd terminal, with the vss terminal grounded. 到底哪种比较靠谱啊
2,论文里的电路普遍加上ESD脉冲后VDD上的电压明显超过改电源电压下所使用管子的耐压极限,这怎么回事,如1.8v电源电压的电路,但是加上ESD脉冲后VDD会高至5V,这合理吗?ps:用的是.18工艺