DC-DC中子模块供电电压问题

seuer

小弟最近报名参加了一个IC竞赛，题目是降压式DC-DC设计，之前没有做过电源类的电路，有个感觉像是很入门的问题想请教下论坛上的各位大侠，望各位不吝赐教！！
DC-DC电路中的用到了很多小模块，例如基准、运放、比较器等，那么这些小模块的电源电压由什么来提供呢（不应该是直接用VIN供电吧，VIN变化范围那么大，子模块应该不可以正常工作啊）？ 是可以外部接入固定的VDD吗？（既然可以外部提供任意VDD，感觉这样就失去做电源电路的意义了）


看了一些论文，其中大部分都在讲每个小模块采用的电路结构，并没有提及小模块供电的问题。

也有人说用LDO先将VIN转为子模块需要的电压值，但是LDO内部不也有子模块吗？ 这些子模块又是由什么来供电呢？按照这个思路下去，感觉会陷入无限循环之中？

实在是有点困扰我，请给位赐教！

acging

子模块都是做在LDO下的，这个LDO把VIN转换成低压。
LDO同样需要参考电压，一般是bandgap产生。
bandgap同样需要电源，这个电源可以通过VIN产生一个粗糙的，只给bandgap用，简单的做法就是用source follower做。

chenximing

指标呢。如果范围不大，直接用Vin就可以

seuer

chenximing 发表于 2019-4-3 14:53
指标呢。如果范围不大，直接用Vin就可以

输入范围1.6-6.3

chenximing

seuer 发表于 2019-4-3 15:09
输入范围1.6-6.3

1.6V这么低？你什么工艺？

seuer

acging 发表于 2019-4-3 14:34
子模块都是做在LDO下的，这个LDO把VIN转换成低压。
LDO同样需要参考电压，一般是bandgap产生。
bandgap同样 ...

那么LDO中的运放的供电电压呢？ 也是用source follower进行电平移位吗？

另外如果输入电平是有范围的，那么这个source follower岂不是要不停的更改？就像输入范围是5-10V这样

seuer

chenximing 发表于 2019-4-3 15:12
1.6V这么低？你什么工艺？

这个指标是题目要求的，工艺打算用tsmc 180nm cmos工艺

seuer

chenximing 发表于 2019-4-3 15:12
1.6V这么低？你什么工艺？

输入范围是题目要求，采用工艺tsmc 180nm cmos

seuer

seuer 发表于 2019-4-3 15:09
输入范围1.6-6.3

这个是题目要求的

应该是用台积电180nm的CMOS工艺

acging

seuer 发表于 2019-4-3 15:13
那么LDO中的运放的供电电压呢？ 也是用source follower进行电平移位吗？

另外如果输入电平是有范围的， ...

LDO电压用VIN。
source follower输出的电压取决于gate，比如把gate通过几个diode叠起来产生，就不会随VIN变化很大了。