关于LDO的瞬态仿真

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请教各位前辈：

   反向设计的LDO，想实现和datasheet上类似的瞬态仿真波形；仿真空载突变到满载1.5A，一般这个突变时间给多大呢？

发现0.1uS，过充电压比datasheet上大近100mV;而1uS，过充电压就只有37mV，只比datasheet上面大一点了；

现在的困境是不清楚是调整管处的摆率限制了瞬态性能，还是突变时间就应该是几微秒的级别。